[发明专利]一种考虑缺陷尺寸情况下的物体缺陷深度的测量方法有效

专利信息
申请号: 201611026172.1 申请日: 2016-11-18
公开(公告)号: CN108072337B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 陶宁;曾智;李晓丽;冯立春;王迅;沈京玲;张存林 申请(专利权)人: 首都师范大学;重庆师范大学;北京维泰凯信新技术有限公司
主分类号: G01B15/00 分类号: G01B15/00
代理公司: 11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙皓晨
地址: 100037 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 热图序列 被测物体 微分函数 物体缺陷 测量 二阶 红外热成像装置 被测物体表面 脉冲加热设备 测量缺陷 峰值时刻 半高宽 算法 校正 加热
【权利要求书】:

1.一种考虑缺陷尺寸情况下的物体缺陷深度的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:使用脉冲加热设备对被测物体进行加热,同时使用红外热成像装置获得被测物体表面的热图序列数据;

S2:对所获得的热图序列数据,求取所述热图序列数据的对数温度-对数时间的二阶微分函数,并提取所述二阶微分函数中对应峰值时刻tLPSD

S3:对所获得的热图序列数据,利用半高宽算法获得被测物体的缺陷直径D;

S4:计算被测物体的缺陷深度L,计算式如下:

上式中ai为不受被测物体的材料和缺陷深度影响的拟合系数,具体取值为:a0=0.6986,a1=0.0042,a2=0.0111,a3=0.0023,a4=-7.9246e-4,a5=4.9065e-5,α为热扩散系数,

所述步骤S4中ai的求解过程如下:

S41:在不考虑缺陷尺寸因子的情况下的热图序列数据的方程为:

其对数二阶微分曲线的极大峰值时间为:

其中,T(t)是t时刻的温度;q为常数,是在单位面积上施加的热量;密度ρ与比热C的乘积是介质材料的体热容;α=k/(pc),其中k是热传导率,α对某一特定介质可视为常数;e为被测件的蓄热系数,n为脉冲传播到两种材料界面发生的n次反射,L为被测物体的缺陷深度,R为缺陷界面处的热反射系数;

S42:假设缺陷为平底孔缺陷,其直径为D,深度为L,正常区域由于其厚度较大,降温相对缺陷区域更快,也就是缺陷区域其温度更高,由于三维热扩散的影响,可以考虑从高温的缺陷中心向缺陷边缘进行热扩散,该热扩散因子表达为并定义缺陷宽深比系数p=D/L;

在考虑缺陷尺寸因子的情况下的热图序列数据的方程为:

S43:选择不同材料和不同缺陷深度按照所述在考虑缺陷尺寸因子的情况下方程进行模拟得到温度曲线,提取所述温度曲线的二阶微分极大峰值出现时的对应时间tLPSD,定义特征时间归一化因子为Nr,Nr=tLPSD/tr

S44:根据模拟结果得出Nr与p的关系曲线,对所述关系曲线进行多项式拟合,得到Nr与缺陷宽深比的关系式为:

结合所述关系曲线中的数据得出ai的具体取值。

2.根据权利要求1所述的考虑缺陷尺寸情况下的物体缺陷深度的测量方法,其特征在于,在所述步骤S4之前包括:

当所述缺陷宽深比系数明显大于7时,通过下式计算被测物体的缺陷深度:

3.根据权利要求1或2所述的考虑缺陷尺寸情况下的物体缺陷深度的测量方法,其特征在于,所述脉冲加热设备是脉冲时间短的高能闪光灯,所述热成像装置的采集频率为高频。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首都师范大学;重庆师范大学;北京维泰凯信新技术有限公司,未经首都师范大学;重庆师范大学;北京维泰凯信新技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611026172.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top