[发明专利]一种提高LED封装用的有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，属于LED封装技术领域。

背景技术

LED目前所用封装材料有环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有机硅等高透明材料，其中环氧树脂与有机硅材料作为主要的封装材料，环氧树脂内应力过大，黄变，耐高低温性能差，耐老化性能差，而目前的有机硅材料，内应力小，耐高低温性能好，不黄变，透光率也高于环氧树脂，因此迅速取代环氧树脂，被广泛用于LED封装领域，但是有机硅材料特别是低折射率有机硅材料因为低交联密度导致透氧透湿，在含硫气体作用下，会部分穿透封装材料，在银层与硅胶界面因为无粘接性，易生成硫化银，导致银层发黑，另外，uv照射后，光通量迅速下降。因此，提高LED封装用有机硅材料的耐硫化耐UV性能迫在眉睫。

发明内容

本发明针对现有LED封装用有机硅材料在使用过程中存在的不足，提供一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)清洁LED支架表面；

2)配制涂层：将含氢硅树脂和溶剂均匀混合，其中，含氢硅树脂的重量分数为20～25wt％；

3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；

4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；

5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。

进一步，所述含氢硅树脂的结构式如下：

进一步，所述电子束为500-1000mW，电子束的照射时间为3-5秒。

进一步，所述的溶剂是指正庚烷、乙醚或丙酮中的一种。

本发明的有益效果是：

1)使用本发明的方法制备得到的封装后的LED克服了传统有机硅材料封装后的透气透湿，含硫气体作用下会部分穿透封装材料的弊端，耐硫化性好；

2)经长时间紫外线UV照射后，光通量仍能保持稳定；

3)银层与硅胶界面粘结性好，不易生成硫化银。

具体实施方式

以下结合实例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

本发明实施例1-3中所使用的含氢硅树脂的结构式如下：

实施例1：

一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步骤：

1)清洁LED支架表面；

2)配制涂层：将25份含氢硅树脂和75份溶剂无水乙醚均匀混合得涂层；

3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；

4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，电子束为500mW，照射时间为5秒，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；

5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。

实施例2：

一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步骤：

1)清洁LED支架表面；

2)配制涂层：将23份含氢硅树脂和77份溶剂无水正庚烷均匀混合得涂层；

3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；

4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，电子束为700mW，照射时间为4秒，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；

5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。

实施例3：

一种提高LED封装用有机硅材料耐硫化耐UV性能的方法，包括如下步骤：

1)清洁LED支架表面；

2)配制涂层：将20份含氢硅树脂和80份溶剂无水丙酮均匀混合得涂层；

3)将步骤2)中所得的涂层均匀喷涂至芯片表面；

4)向步骤3)所得的芯片表面进行均匀的电子束照射，电子束为1000mW，照射时间为3秒，使涂层固化形成致密的二氧化硅结构；

5)后清除多余涂层，点上封装用的有机硅材料，固化成型。

对比例：

清洁LED支架表面后直接点上封装用的有机硅材料，固化成型。

为了验证本发明提供的方法的有益效果，我们对使用本发明的方法固化后的产品进行了耐硫和耐UV的测试，具体测试方法如下：