[发明专利]一种OLED显示器件有效
申请号: | 201611050991.X | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN106653804B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 王永志;熊志勇 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 器件 | ||
本申请提供一种OLED显示器件,包括重复排列的第一像素单元、第二像素单元、第三像素单元和第四像素单元。每个像素单元包括四个子像素,四个子像素的形状相同,均为五边形,且能够组成六边形。通过排布四个像素单元,使得不同像素单元中的相同颜色组合成所述六边形,在制作掩膜板时,相同颜色组成的六边形可以制作成一个掩膜板开孔,使得掩膜板的开孔以及开孔之间的间隔尺寸均增大,从而降低掩膜板制作工艺难度;同时蒸镀像素颜色时,掩膜板尺寸变大,掩膜板对位难度降低,蒸镀混色问题得到改善。由于降低了掩膜板制作工艺难度以及改善了蒸镀过程中存在的混色问题,进而能够继续提高显示面板分辨率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示器件。
背景技术
有机发光显示器件利用有机发光二极管(英文全称Organic Light-EmittingDiode,简称OLED)显示图像,是一种自身发光的器件。
现有技术制作OLED像素时,是在已经制作好薄膜晶体管(Thin FilmTransisitor,简称TFT)的阵列基板上,通过高精度的对位系统和精细的掩膜实现像素的蒸镀,目前显示技术主要分为RGB(red、green、blue)三色系统和RGBW(red、green、blue、white)四色系统,如图1所示为RGB三色系统的像素排列方式,图2所示为RGBW四色系统的像素排列方式。按照掩膜板分类可分为长条狭缝状(slit)和开孔状(slot)两种,长条狭缝状主要应用于如图1所示的像素排列方式,开孔状主要应用于如图2所示的像素排列方式。现有的像素排布方式及掩膜板分类都是基于上述分类和排布方式发展而来。
但随着显示面板分辨率越来越高,对掩膜板的制作工艺要求也越来越高,但掩膜板的制作精细度已经接近极限,且目前的蒸镀工艺容易出现混色偏位问题。因此,掩膜板的制作工艺难度及蒸镀工艺的混色偏位问题成为制约OLED分辨率提升、成本降低的最主要瓶颈之一。
如何降低掩膜板的制作工艺难度及使得蒸镀工艺的混色控制更加容易,成为亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种OLED显示器件,采用新的像素排列方式,以解决现有技术中掩膜板制作工艺难度较大、蒸镀工艺混色偏位问题容易发生的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种OLED显示器件,包括:
沿第一方向依次交替排列的第一像素行和第二像素行;
所述第一像素行包括沿第二方向交替排列的第一像素单元和第二像素单元,所述第一像素单元与所述第二像素单元关于所述第一像素单元和所述第二像素单元的中心点连线的中点成中心对称;
所述第二像素行包括沿第二方向交替排列的第三像素单元和第四像素单元,所述第三像素单元与所述第四像素单元关于所述第三像素单元和所述第四像素单元的中心点连线的中点成中心对称;
所述第三像素单元与所述第四像素单元的中心点位于相邻的所述第一像素单元和所述第二像素单元的中心点连线的中垂线上;
所述第一像素单元、所述第二像素单元、所述第三像素单元和所述第四像素单元的形状相同且均为六边形,且均包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;
所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素的形状相同均为五边形,且至少包括三种颜色,且所述第一子像素和所述第二子像素的位置排布为关于所在像素单元的中心点成中心对称,所述第三子像素和所述第四子像素的位置排布为关于所在像素单元的中心点成中心对称,所述五边形依次包括第一内角、第二内角、第三内角、第四内角和第五内角,所述第一内角和所述第三内角均为直角,且所述第一内角的两边边长相等,所述第三内角的两边边长相等;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的