[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
申请号: | 201611064784.X | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN108121933B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 高燕 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括:提供基底,所述基底包括指纹识别像素区,在所述指纹识别像素区中形成有层间介电层;图案化所述层间介电层,以在所述层间介电层中形成侧壁倾斜的开口;在所述开口和所述层间介电层上共形沉积底部电极,以使所述底部电极中具有侧壁倾斜的第一凹槽图案;依次共形沉积钝化层和焊盘层,以覆盖所述底部电极,同时在所述焊盘层中形成侧壁倾斜的第二凹槽图案。本发明方法可使指纹识别电容器下极板面积增大,从而增大顶层金属和手指指纹间的电容,改善指纹识别灵敏度。
技术领域
本发明涉及半导体领域,具体地,本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
背景技术
在电子消费领域,多功能设备越来越受到消费者的喜爱,相比于功能简单的设备,多功能设备制作过程将更加复杂,比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片,因而出现了3D集成电路(integrated circuit,IC)技术,3D集成电路(integrated circuit,IC)被定义为一种系统级集成结构,将多个芯片在垂直平面方向堆叠,从而节省空间。
在半导体器件中指纹区的制备变的越来越广泛,如今指纹识别已成为手机标配,市场上出现越来越多的生产指纹识别的厂家,不同的厂家其设计原理也是不一样的,其中基于电容结构方式的指纹识别器得到广泛应用。
其中,电容结构方式的指纹识别器是利用顶层铝和手指指纹间的电容,手指指纹凹凸不平,与顶层铝形成的电容也不一样,电容越大,指纹识别灵敏度越高。
目前指纹识别传感器一般粘贴在陶瓷(蓝宝石、微晶锆)下面。如果能将传感器直接粘贴在玻璃下方(under glass)和屏幕整合在一起,不仅可以简化工艺,节约成本,而且对改善手机外形有非常重要的意义。但一般手机玻璃屏厚度达400um,比陶瓷封装厚一倍左右,严重影响指纹识别的灵敏度。
对于窄边框手机而言,能够将指纹传感器粘贴在玻璃下方对手机外观有非常重要的意义。因此,提高指纹识别的灵敏度使指纹识别和玻璃屏幕能整合在一起至关重要。
但是目前所述指纹识别的灵敏度较低,在实际应用中带来很多不便,因此如何提高指纹识别的灵敏度成为目前需要解决的问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明提供了一种半导体器件的制备方法,所述方法包括:
提供基底,所述基底包括指纹识别像素区,在所述指纹识别像素区中形成有层间介电层;
图案化所述层间介电层,以在所述层间介电层中形成侧壁倾斜的开口;
在所述开口和所述层间介电层上共形沉积底部电极,以使所述底部电极中具有侧壁倾斜的第一凹槽图案;
依次共形沉积钝化层和焊盘层,以覆盖所述底部电极,同时在所述焊盘层中形成侧壁倾斜的第二凹槽图案。
可选地,所述第一凹槽图案为若干相互间隔的孔状凹槽或者若干相互连接的条状凹槽;
所述第二凹槽图案为若干相互间隔的孔状凹槽或者若干相互连接的条状凹槽。
可选地,在所述基底上形成有CMOS器件,在所述CMOS器件上形成有互连结构,形成所述底部电极的方法包括:
图案化所述互连结构顶层中的顶部金属层,以在所述顶部金属层中形成隔离开口并将所述基底定义为指纹识别像素区和位于所述指纹识别像素区外侧的输入输出区;
在所述顶部金属层上形成所述层间介电层,以覆盖所述顶部金属层并填充所述隔离开口;
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