[发明专利]显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201611068999.9 申请日: 2016-11-28
公开(公告)号: CN106773239A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 尹勇明;姚晓慧;董成才 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343;G02F1/1362;G09G3/36
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 钟子敏
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

TFT-LCD液晶显示面板技术是通过液晶偏转来控制出光量,再结合CF(彩色滤光膜)来实现彩色显示,CF包含R(红光)、G(绿光)和B(蓝光)三种类型的色阻材料,同一膜厚的三种色阻材料对光的穿透率有差别,考虑到RGB组合形成白光对CIE色坐标的要求,为了补偿三种色阻材料对光的穿透率差异,RGB子像素必须采用不同的膜厚,实际情况是R子像素和G子像素采用一样的厚度,B子像素采用相较R子像素及G子像素稍厚的膜层,三种色阻材料膜厚的差异不可避免的会影响其中的液晶电容,使得R子像素及G子像素与B子像素对应位置的液晶电容有差异,对于RGB三个子像素尺寸大小一样的情况,B子像素的液晶电容相对会稍微小一点。简单而言,对于某一固定灰阶,由于电容耦合效应,实际的子像素电压在充电完成后由于栅极电压的变化导致子像素公共电压的变化量在其它参数一定的情况下有所差别,进而导致RG子像素与B子像素的公共电压不能较好的匹配,在面板实际的驱动中,整个面板采用单一恒定的公共电压,由于RGB子像素的公共电压的差异使得某一子像素会与该恒定电压有所偏差,从而导致实际子像素的亮度有差异,打破了RGB三者子像素亮度的平衡,导致面板发生色偏(如图1所示),其中,面板左侧与右侧画面存在严重色偏现象。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板及显示装置,以在面板的第一至第三子像素色阻厚度不同时使得所述第一至第三子像素的像素电压一致,以此降低面板发生色偏现象。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素,所述第三子像素的色阻厚度大于所述第一子像素的色阻厚度或者所述第二子像素的色阻厚度,对所述第三子像素的像素电压进行补偿,使得所述第一子像素的像素电压、所述第二子像素的像素电压及所述第三子像素的像素电压一致。

其中,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为绿色子像素,所述第三子像素为蓝色子像素。

其中,所述第三子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度大于所述第一子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度或所述第二子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度,增大所述第三子像素的寄生电容值,进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中,所述第三子像素的公共电压线面积大于所述第一子像素的公共电压线面积或所述第二子像素的公共电压线面积,增大所述第三子像素的存储电容值,进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中,所述第三子像素的像素电压进行补偿满足以下公式:

△V=Cgs/(Cgs+Clc+Cst)*|Voff-Von|

其中,Cgs为寄生电容值,Clc为液晶电容值,Cst为存储电容值,Voff为扫描线的低电平,Von为扫描线的高电平。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置,所述显示装置包括显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素,所述第三子像素的色阻厚度大于所述第一子像素的色阻厚度或者所述第二子像素的色阻厚度,对所述第三子像素的像素电压进行补偿,使得所述第一子像素的像素电压、所述第二子像素的像素电压及所述第三子像素的像素电压一致。

其中,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为绿色子像素,所述第三子像素为蓝色子像素。

其中,所述第三子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度大于所述第一子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度或所述第二子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度,增大所述第三子像素的寄生电容值,进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中,所述第三子像素的公共电压线面积大于所述第一子像素的公共电压线面积或所述第二子像素的公共电压线面积,增大所述第三子像素的存储电容值,进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中,所述第三子像素的像素电压进行补偿满足以下公式:

△V=Cgs/(Cgs+Clc+Cst)*|Voff-Von|

其中,Cgs为寄生电容值,Clc为液晶电容值,Cst为存储电容值,Voff为扫描线的低电平,Von为扫描线的高电平。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611068999.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top