[发明专利]一种避免混色的有机发光显示器件及其制造方法在审
申请号: | 201611072355.7 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN106653805A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 徐湘伦;赵梦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 有机 发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域,尤其涉及一种避免混色的有机发光显示器件及其制造方法。
背景技术
OLED(Organic light-emitting Diode)即有机发光二极管,通过有机层自主发光进行显示,由于不需要背光源,因此具有更快的响应时间、更大的可视角度、更高的对比度以及更轻的元器件质量、更低的功耗等特点,是目前公认的最有潜力的平板显示技术。
目前,有机发光二极管由具有不同功能的多层结构组成。每层材料的固有属性及其与其他层材料的兼容性是非常重要的。多层结构中,通常包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)等等。空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)一般是作为公共层(common layer)来蒸镀。这样,由于空穴可以在整个传输层自由移动,当点亮其中一个颜色的时候,与这一颜色邻近的部分区域也会点亮,出现混色的现象,影响了OLED元器件的性能。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种避免混色的有机发光显示器件及其制造方法。
为了实现上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种避免混色的有机发光显示器件,包括依次堆叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层,相邻的两种颜色的空穴传输层之间绝缘设置。
作为其中一种实施方式,相邻的两种颜色的空穴传输层之间间隔形成间隙。
作为其中一种实施方式,所述间隙填充有透明绝缘层。
作为其中一种实施方式,所述发光层部分填充于所述间隙内。
本发明的另一目的在于提供一种避免混色的有机发光显示器件的制造方法,包括:
在像素定义层上依次蒸镀一层空穴注入层;
在空穴注入层上涂布一层光阻,使掩膜板与像素定义层的子像素匹配,然后曝光;
显影并烘烤,留下在空穴注入层的子像素对应的上方的光阻部分;
在空穴注入层和光阻部分上形成空穴传输层;
剥离光阻部分;
在空穴传输层上依次形成发光层、电子传输层以及电子注入层。
作为其中一种实施方式,所述光阻为负性光阻。
作为其中一种实施方式,所述光阻由卤素溶剂、光酸产生剂、含氟基和酸水解含酯基基团单体的共聚物单体组成。
作为其中一种实施方式,所述卤素溶剂是氢氟醚。
本发明通过运用光刻技术制作空穴传输层,将临近的两种颜色的空穴传输层隔离开来,使空穴不能自由的移动,有效地解决了邻近颜色之间出现的混色问题。
附图说明
图1为本发明实施例的有机发光显示器件的主要制造过程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参阅图1,本发明实施例的一种避免混色的有机发光显示器件包括依次堆叠的空穴注入层11、空穴传输层12、和其他层13等,其他层13包括空穴传输层12上依次设置的发光层、电子传输层以及电子注入层,其中,相邻的两种颜色的空穴传输层12之间绝缘设置。
优选将相邻的两种颜色的空穴传输层12之间间隔形成间隙120。由于相邻的颜色的空穴传输层12之间被隔断而不能互通,使得空穴不能自由地移动,只能在当前颜色的子像素对应的空穴传输层12内移动,不会出现临近颜色之间的混色问题。该间隙120处可以单独填充有透明绝缘层,也可以是发光层。
光刻技术发展的历史已经有200余年,技术设备成熟,具有完善的工艺流程,光刻技术中应用的材料(如光阻、显影液等等)造价低廉。本发明借助光阻辅助制造来阻隔两种颜色之间空穴传输的方法,来解决RGB OLED元器件的这种混色问题。该有机发光显示器件的制造方法主要包括:
在基板上制作像素定义层10;
在像素定义层10上依次蒸镀一层空穴注入层11;
在空穴注入层11上涂布一层光阻R,使掩膜板1与像素定义层10的子像素匹配,然后曝光(如图1中的步骤A);
显影并烘烤,留下在空穴注入层11的子像素对应的上方的光阻部分(如图1中的步骤B);
在空穴注入层11和光阻部分上形成空穴传输层12(如图1中的步骤C);
剥离光阻部分(如图1中的步骤D);
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的