[发明专利]一种三维结构高效有机薄膜传感器器件的制备方法在审
| 申请号： | 201611125633.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106596653A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王丽娟;孙洋;闫闯;张梁;孙丽晶;尹丽;张国军;唐甜甜 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00;B32B3/08;B32B9/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B27/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 结构 高效 有机 薄膜 传感器 器件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种三维结构高效有机薄膜传感器的制备方法包括：PET柔性衬底（1），绝缘层（2），六联苯诱导层（3），共生长有机半导体层（4），铝叉指电极（5），共生长有机半导体层（4）由六噻吩（α-6T）薄膜（6）、α-6T缝隙间的酞菁铜（CuPc）薄膜（7）以及被CuPc覆盖的α-6T薄膜（8）构成三维立体结构。
2.根据权利要求1所述的一种三维结构高效有机薄膜传感器的制备方法，其特征在于，绝缘层（2）采用氮化硅（Si3N4），厚度不小于300 nm，不大于400 nm。
3.根据权利要求1所述的一种三维结构高效有机薄膜传感器的制备方法，其特征在于，六联苯诱导层（3），180℃衬底温度，厚度不小于4 nm，不大于5 nm。
4.根据权利要求1所述的一种三维结构高效有机薄膜传感器的制备方法，其特征在于，共生长有机半导体层（4），在25 ℃下双源同时沉积生长厚度10 nm的六噻吩（α-6T）薄膜和5 nm的酞菁铜（CuPc）薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种三维结构高效有机薄膜传感器的制备方法，其特征在于，铝叉指电极（5）宽度W为98 mm，长度L为0.15 mm。
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