[发明专利]COA基板的制作方法、COA基板及液晶显示面板在审

专利信息
申请号: 201611143570.1 申请日: 2016-12-13
公开(公告)号: CN106773240A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 贺晖 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335
代理公司: 广州三环专利代理有限公司44202 代理人: 郝传鑫,熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: coa 制作方法 液晶显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示面板技术领域,尤其涉及一种COA基板的制作方法、一种COA基板以及一种液晶显示面板。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Back light module)。其中,液晶显示面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor Array,TFT Array)基板、一彩色滤光片(Color Filter,CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成,其工作原理是通过在两基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。

COA(Color-filter on Array)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术,能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题,并能显著提升显示开口率。目前正常COA基板制作至少包括M1(栅极层)-GI(栅极绝缘层)-AS(半导体层)-M2(源极漏极)-PV1(保护层)-R/G/B(色阻层)-PV2(保护层)-ITO(像素电极)共11道黄光制程(其中色阻层需要3道),再加上用于与COA基板对盒的相对基板上还有BM(黑色矩阵)、PS(隔垫物)共2道黄光制程,采用COA技术的液晶显示面板至少需要13道黄光制程,工艺非常繁琐。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种COA基板的制作方法,所述COA基板的制作方法能够简化液晶显示面板的制作工艺。

此外,还提供一种COA基板以及一种液晶显示面板。

为了实现上述目的,本发明实施方式采用如下技术方案:

一方面,提供一种COA基板的制作方法,包括:

在第一衬底基板上形成薄膜晶体管层;

在所述薄膜晶体管层的远离所述第一衬底基板的一侧形成第一钝化层,所述第一钝化层形成连通所述薄膜晶体管层的第一过孔;

在所述第一钝化层的远离所述薄膜晶体管层的一侧形成彩色滤光层,所述彩色滤光层具有彼此间隔设置的色阻块和设置在相邻的所述色阻块之间的遮光块,通过不同颜色的色阻层层叠形成所述遮光块,所述彩色滤光层形成连通所述第一过孔的第二过孔;

通过一次曝光在所述彩色滤光层的远离所述第一钝化层的一侧形成一体化的第二钝化层和隔垫物,所述隔垫物位于所述第二钝化层的远离所述彩色滤光层的一侧,所述第二钝化层形成连通所述第二过孔的第三过孔;以及

在所述第二钝化层的远离所述彩色滤光层的一侧形成像素电极层,所述像素电极层通过所述第三过孔、所述第二过孔以及所述第一过孔连接至所述薄膜晶体管层。

其中,所述第一钝化层的远离所述薄膜晶体管层的一侧形成多个透光区和遮光区,所述多个透光区包括轮流间隔排布的第一透光区、第二透光区以及第三透光区,所述遮光区设于相邻的所述透光区之间;

通过一次曝光在所述第一透光区形成第一色阻块并在所述遮光区形成第一色阻层;

在所述第二透光区形成第二色阻块;

通过一次曝光在所述第三透光区形成第三色阻块并在所述遮光区形成第三色阻层,所述第一色阻层与所述第三色阻层层叠形成所述遮光块,所述第一色阻块、所述第二色阻块以及所述第三色阻块共同组成所述色阻块。

其中,通过半色调光罩一次曝光第一色阻膜层,以形成所述第一色阻块和所述第一色阻层。

其中,所述半色调光罩包括图案化的不透光区、半透光区和透光区,所述透光区用于形成所述第一色阻块,所述半透光区用于形成所述第一色阻层。

其中,通过多段式调整光罩一次曝光光阻层,以形成所述第二钝化层和所述隔垫物。

其中,所述多段式调整光罩包括图案化的第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域,所述第一区域不透光,所述第二区域的透光比例为30%至50%,所述第三区域的透光比例为50%至80%,所述第四区域完全透光。

其中,所述“在第一衬底基板上形成薄膜晶体管层”的步骤包括:

在所述第一衬底基板上形成栅极层;

在所述栅极层的远离所述第一衬底基板的一侧形成栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层的远离所述栅极层的一侧形成半导体层;以及

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