[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一半导体装置，其中所述第一半导体装置包括第一电压调节器；

第二半导体装置，其中所述第二半导体装置包括第二电压调节器；

囊封剂，其囊封所述第一半导体装置及所述第二半导体装置；

贯穿通孔，其与所述第一半导体装置及所述第二半导体装置分离，且设置于所述第一半导体装置及所述第二半导体装置之间，且从所述囊封剂的第一侧延伸到所述囊封剂的第二侧；

第一重布层，其在所述囊封剂的第一侧上电连接到所述贯穿通孔；

第三半导体装置，其是通过所述第一重布层电连接到所述第一半导体装置，其中所述第三半导体装置包括第一逻辑装置；及

第二重布层，其在所述囊封剂的第二侧上与所述第一半导体装置、所述第二半导体装置及所述贯穿通孔互连。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括外部连接器，其在所述第一半导体装置之上，且被所述囊封剂囊封。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括第四半导体装置，所述第四半导体装置电连接到所述第一重布层，且位于所述第一重布层的与所述第二半导体装置相对的侧上，所述第四半导体装置包括第二逻辑装置。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其进一步包括：

第五半导体装置，其电连接到所述第一重布层，且位于所述第一重布层的与所述第二半导体装置相对的侧上，所述第五半导体装置包括输出入装置；及

第二囊封剂，其囊封所述第三半导体装置、所述第四半导体装置及所述第五半导体装置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体装置包括贯穿硅通孔。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第三半导体装置的侧壁无囊封剂。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括与所述第一半导体装置物理接触的底胶材料。

8.一种半导体装置，其包括：

衬底；

囊封剂，其在所述衬底之上，且具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；

贯穿通孔，其从所述第一侧延伸到所述第二侧；

第一电压调节器裸片，其从所述第一侧延伸到所述第二侧；

第一重布层，其电连接到所述贯穿通孔及所述第一电压调节器裸片；

第一逻辑裸片，其是通过所述第一重布层电连接到所述第一电压调节器裸片；及

散热片，其放置于所述第一逻辑裸片之上，且从所述第一逻辑裸片附接到所述衬底的顶部表面。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包括从所述第一侧延伸到所述第二侧的第二电压调节器。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其进一步包括电连接到所述第一重布层的第二逻辑裸片。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其进一步包括电连接到所述贯穿通孔的输出入裸片。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包括位于所述第一电压调节器裸片的与所述第一逻辑裸片相对的侧上的第二重布层。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其进一步包括延伸贯穿所述第一电压调节器裸片且电连接到所述第二重布层的贯穿硅通孔。

14.根据权利要求8所述的半导体装置，其进一步包括底胶材料，其环绕所述第一电压调节器裸片，且被所述囊封剂囊封。