[发明专利]一种半导体元件的封装方法及封装结构在审
申请号: | 201611183678.3 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN107045989A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 江一汉;徐振杰;曹周 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 523750 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 元件 封装 方法 结构 | ||
1.一种半导体元件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将引线框架(1)和焊接于引线框架(1)的基岛(11)正面的芯片(2)注塑封装,保持基岛(11)的背面外露于注塑封装层(3);
S2:在所述基岛(11)的背面形成绝缘导热层(4);
S3:在所述绝缘导热层(4)的表面形成金属散热层(5)。
2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,步骤S2具体包括:
S21:在所述基岛(11)的背面设置绝缘导热材料;
S22:固化所述绝缘导热材料形成所述绝缘导热层(4)。
3.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述绝缘导热材料通过涂覆、灌封或注塑等方式设置于所述基岛(11)的背面。
4.如权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述绝缘导热材料为环氧树脂封装材料。
5.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,步骤S3具体包括:通过溅镀或3D打印的方法将金属材料固定于所述绝缘导热层(4)的表面形成所述金属散热层(5)。
6.如权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述金属材料为铜或铝。
7.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述绝缘导热层(4)低于注塑封装层(3)的表面。
8.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述绝缘导热层(4)的厚度为0.1-0.2mm,所述金属散热层(5)的外表面凸出于所述注塑封装层(3)的表面或与所述注塑封装层(3)的表面持平。
9.如权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述金属散热层(5)的区域从所述绝缘导热层(4)向外延伸到注塑封装层(3)的表面。
10.一种半导体元件的封装结构,其特征在于,包括引线框架(1)和焊接于引线框架(1)的基岛(11)正面的芯片(2),所述引线框架(1)和所述芯片(2)注塑封装,且所述引线框架(1)的基岛(11)的背面外露于注塑封装层(3),所述基岛(11)的背面向外依次设置有绝缘导热层(4)和金属散热层(5)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造