[发明专利]一种多芯片封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611186966.4 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN108206175A 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 李飞;江博渊 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 多芯片封装结构 输入/输出端口 芯片 第一表面 重布线层 第一端 导电通孔 第二表面 堆叠放置 芯片侧面 芯片堆叠 封装 制造 摆放
【权利要求书】:

1.一种多芯片封装结构,其特征在于,包括:

堆叠放置的顶部芯片和底部芯片,其中所述顶部芯片具有彼此相对的第一表面和第二表面,所述底部芯片具有彼此相对的第三表面和第四表面,其中所述第三表面与所述第二表面相对设置,所述第一表面上形成有至少一个第一输入/输出端口,所述第四表面上形成有至少一个第二输入/输出端口;

在所述顶部芯片的第一表面一侧形成的至少一个第一重布线层,所述至少一个第一重布线层的第一端与所述至少一个第一输入/输出端口相连,所述至少一个第一重布线层的第二端与位于所述顶部芯片和底部芯片侧面侧的至少一个导电通孔的顶端相连;

在所述底部芯片的第四表面一侧形成的至少一个第二重布线层,所述至少一个第二重布线层的第一端与所述至少一个第二输入/输出端口相连。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,还包括在所述第二重布线层的第二端上形成的第一金属凸块。

3.根据权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,还包括与所述至少一个导电通孔的底端电连接的第二金属凸块。

4.根据权利要求3所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述至少一个导电通孔的底端与所述第二金属凸块之间的电连接是通过第二重布线层实现的。

5.根据权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,还包括至少包覆所述顶部芯片和底部芯片的侧面的塑封材料层。

6.根据权利要求5所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述导电通孔位于所述塑封材料层中。

7.根据权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,还包括在所述顶部芯片的第一表面上形成的第一聚合物层。

8.根据权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,还包括在所述底部芯片的第四表面上形成的第二聚合物层。

9.根据权利要求5所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述塑封材料层包括环氧树脂、有机硅胶、酸性玻璃胶或酚醛树脂。

10.一种多芯片封装结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供堆叠放置的顶部芯片和底部芯片,其中所述顶部芯片具有彼此相对的第一表面和第二表面,所述底部芯片具有彼此相对的第三表面和第四表面,其中所述第三表面与所述第二表面相对设置,所述第一表面上形成有至少一个第一输入/输出端口,所述第四表面上形成有至少一个第二输入/输出端口;

形成至少包覆所述顶部芯片和底部芯片的侧面的塑封材料层;

在所述塑封材料层中形成至少一个导电通孔;

在所述顶部芯片的第一表面一侧形成至少一个第一重布线层,所述至少一个第一重布线层的第一端与所述至少一个第一输入/输出端口相连,所述至少一个第一重布线层的第二端与所述至少一个导电通孔的顶端相连;

在所述底部芯片的第四表面一侧形成至少一个第二重布线层,所述至少一个第二重布线层的第一端与所述至少一个第二输入/输出端口相连,在所述第二重布线层的第二端上形成第一金属凸块;形成与所述至少一个导电通孔的底端电连接的第二金属凸块。

11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在所述顶部芯片的第一表面上形成第一聚合物层的步骤。

12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,在形成所述第一聚合物层的步骤后,还包括在所述底部芯片的第四表面上形成第二聚合物层的步骤。

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