[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201611189465.1 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106997893B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 南敬真;金正五;金容玟 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括:
发光器件,所述发光器件被设置在基板的每个子像素处;
像素电路,所述像素电路驱动所述发光器件;
堤岸,所述堤岸限定在除了设置有所述像素电路的区域以外的其余区域处的第一发光区域和在设置有所述像素电路的所述区域处的第二发光区域;以及
滤色器,所述滤色器被设置在所述第一发光区域和所述第二发光区域处,
其中,包括在所述像素电路中的至少一个电极包括透明导电层和在所述透明导电层上的不透明导电层,所述不透明导电层位于所述像素电路中的除了所述第二发光区域之外的其余区域处,
其中,所述透明导电层延伸至所述第二发光区域中,
其中,阳极接触存储电容器中的通过像素接触孔暴露出的一个电极,并且所述像素接触孔不与所述不透明导电层交叠,
其中,所述存储电容器的所述一个电极在不与所述不透明导电层交叠和接触的情况下通过存储接触孔与所述透明导电层直接接触,并且
其中,所述有机发光显示装置被配置为使得从所述发光器件发出的光穿过所述第二发光区域处的所述滤色器并且经由所述第二发光区域处的所述透明导电层被发射至所述基板的底部。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,
所述像素电路包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管连接至所述发光器件;以及
开关晶体管,所述开关晶体管连接至所述驱动晶体管,
所述驱动晶体管和所述开关晶体管中的每一个包括:
有源层,所述有源层被设置在所述基板上;
栅极,所述栅极与所述有源层交叠,所述栅极通过栅极绝缘图案与所述有源层分隔开;
源极,所述源极连接至所述有源层;以及
漏极,所述漏极面向所述有源层,所述漏极通过所述有源层与所述源极分隔开,并且
其中,所述源极和所述漏极中的每一个包括所述透明导电层和设置在所述透明导电层上的所述不透明导电层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,
所述驱动晶体管和所述开关晶体管中的每一个的所述源极和所述漏极中的每一个被设置为包括在所述像素电路中的除了所述第二发光区域以外的其余区域处堆叠的所述透明导电层和所述不透明导电层,并且
所述驱动晶体管和所述开关晶体管中的每一个的所述源极和所述漏极中的每一个被设置为包括在所述第一发光区域和所述第二发光区域处的所述透明导电层。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,
所述驱动晶体管和所述开关晶体管中的每一个的所述源极和所述漏极中的每一个被设置为包括在与所述有源层交叠的区域处堆叠的所述透明导电层和所述不透明导电层,并且
所述驱动晶体管和所述开关晶体管中的每一个的所述源极和所述漏极中的每一个被设置为包括在不与所述有源层交叠的区域处的所述透明导电层。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,阳极与所述开关晶体管和所述驱动晶体管交叠,并且所述滤色器被插置在所述阳极与所述开关晶体管和所述驱动晶体管之间。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,
所述堤岸使所述发光器件的被设置在所述第一发光区域和所述第二发光区域处的阳极暴露,并且
所述发光器件的有机层和阴极在由所述堤岸所暴露出的所述第一发光区域和所述第二发光区域的所述阳极上堆叠。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,设置在与在所述像素电路处设置的接触孔对应的区域处的电极包括所述透明导电层。
8.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述像素电路还包括设置在所述第一发光区域处的所述存储电容器,并且
其中,所述存储电容器包括连接至所述开关晶体管的存储下部电极和连接至所述驱动晶体管的存储上部电极。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述存储下部电极和所述存储上部电极由所述透明导电层构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的