[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201611190802.9 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106997867B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陆昕;久保敦嗣 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法，该晶片在对形成于正面的多个器件进行划分的多条分割预定线上形成有深度相当于器件的完工厚度的槽，并在包含器件在内的正面上敷设有模制树脂并且在该槽中埋设有模制树脂，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：
模制树脂去除工序，一边使该晶片进行旋转，一边使用具有环状的切削刃的切削刀具，将敷设在晶片的正面上的模制树脂的外周部在整周范围内呈环状地去除而使埋设于该槽中的模制树脂在晶片的正面露出；以及
分割槽形成工序，在实施了该模制树脂去除工序之后，对在晶片的外周部露出的埋设于该槽中的模制树脂进行检测，并将激光光线的聚光点定位在埋设于该槽中的模制树脂的宽度方向中央而沿着该槽进行照射，由此形成将晶片分割成各个器件的分割槽。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有如下的背面磨削工序：在实施该分割槽形成工序之前，对晶片的背面进行磨削而使晶片形成为器件的完工厚度，
该分割槽形成工序形成将晶片分割成各个器件的深度的分割槽。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该分割槽形成工序中，在晶片上形成深度相当于器件的完工厚度的分割槽，
该晶片的加工方法还具有如下的工序：
保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴在实施了该分割槽形成工序后的晶片的正面上；以及
背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削而使晶片形成为器件的完工厚度而使该分割槽露出，由此将晶片分割成各个器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
