[发明专利]晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201611190802.9 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106997867B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 陆昕;久保敦嗣 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【说明书】:

提供晶片的加工方法,能够得到品质良好的被称为晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)的封装器件。一种晶片的加工方法,该晶片在对形成于正面的多个器件进行划分的多条分割预定线上形成有深度相当于器件的完工厚度的槽,并在包含器件在内的正面上敷设有模制树脂并且在槽中埋设有模制树脂,其中,该晶片的加工方法包含如下的工序:模制树脂去除工序,将敷设在晶片的正面上的模制树脂的外周部去除而使埋设于槽中的模制树脂在晶片的正面露出;以及分割槽形成工序,对在晶片的外周部露出的埋设于该槽中的模制树脂进行检测,并将激光光线的聚光点定位在埋设于槽中的模制树脂的宽度方向中央而沿着槽进行照射,由此,形成将晶片分割成各个器件的分割槽。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法,将晶片沿着分割预定线分割成各个器件并且利用树脂将各个器件覆盖,在该晶片中,在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内形成有器件。

背景技术

在半导体器件制造工艺中,在大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域内形成IC、LSI等器件。通过将这样形成的半导体晶片沿着分割预定线切断,对形成有器件的区域进行分割而制造出各个器件。

近年来,开发出将晶片分割成各个器件并且利用树脂将各个器件覆盖的封装技术。在下述专利文献1中公开了作为该封装技术的一种的被称为晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)的封装技术。

关于在下述专利文献1中公开的封装技术,在晶片的背面上覆盖树脂并从晶片的正面沿着分割预定线形成到达树脂的切削槽,在晶片的正面上敷设模制树脂而对各器件进行覆盖并且在切削槽中埋设模制树脂,然后通过厚度比切削槽的宽度薄的切削刀具将填充到切削槽的模制树脂切断,由此,分割成各个被称为晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)的封装器件。

并且,作为制造出被称为晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)的封装器件的晶片的加工方法而开发出如下技术。

(1)从晶片的正面侧沿着分割预定线形成深度相当于器件的完工厚度的切削槽。

(2)在晶片的正面上敷设模制树脂并且在切削槽中埋设模制树脂。

(3)在敷设于晶片的正面的模制树脂的正面上粘贴保护部件并对晶片的背面进行磨削而使切削槽露出。

(4)将晶片的背面粘贴在划片带上,通过厚度比切削槽的宽度薄的切削刀具将埋设于切削槽的模制树脂切断,由此,分割成各个被称为晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)的封装器件。

专利文献1:日本特开2006-100535号公报

但是,在上述的任意的加工方法中,也存在如下问题:在通过切削刀具将埋设于切削槽的模制树脂切断时,由于在晶片的正面上敷设有模制树脂,所以以形成于器件并从模制树脂的正面露出的突起电极即凸点为基准将切削刀具间接地定位在形成于分割预定线的切削槽上,但由于凸点与分割预定线未必呈准确的位置关系,所以切削刀具从形成于分割预定线的切削槽偏离而对构成晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)的器件的侧面造成损伤。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法,能够得到品质良好的晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)。

为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供一种晶片的加工方法,该晶片在对形成于正面的多个器件进行划分的多条分割预定线上形成有深度相当于器件的完工厚度的槽,并在包含器件在内的正面上敷设有模制树脂并且在该槽中埋设有模制树脂,该晶片的加工方法的特征在于,具有如下的工序:模制树脂去除工序,将敷设在晶片的正面上的模制树脂的外周部去除而使埋设于该槽中的模制树脂在晶片的正面露出;以及分割槽形成工序,在实施了该模制树脂去除工序之后,对在晶片的外周部露出的埋设于该槽中的模制树脂进行检测,并将激光光线的聚光点定位在埋设于该槽中的模制树脂的宽度方向中央而沿着该槽进行照射,由此形成将晶片分割成各个器件的分割槽。

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