[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

提供衬底处理装置和半导体器件的制造方法，在利用喷头对衬底供给气体时能够避免对该衬底的加热会给气体供给带来不良影响。衬底处理装置具备：具有衬底处理室的处理模块；设于处理模块的衬底搬入搬出口；配置在衬底搬入搬出口附近的冷却机构；具有衬底载置面的衬底载置部；加热衬底的加热部；具有由第一热膨胀率材质构成的分散板的喷头；由具有与第一热膨胀率不同的第二热膨胀率的材质构成且支承分散板的分散板支承部；在衬底搬入搬出口的设置侧进行分散板与其支承部的定位的第一定位部；在衬底搬入搬出口的设置侧的相对侧进行分散板与分散板支承部的定位的第二定位部，第一和第二定位部沿着从衬底搬入搬出口通过的衬底的搬入搬出方向排列配置。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

作为在半导体器件的制造工序中使用的衬底处理装置的一个方案，例如具有枚叶式的装置，其利用喷头来均匀地进行气体向衬底处理面的供给。更详细而言，在枚叶式的衬底处理装置中构成为，用加热器加热衬底载置面上的衬底，同时一边从配置在衬底载置面的上方的喷头通过位于该喷头与衬底载置面之间的分散板使气体分散，一边进行气体向衬底载置面上的衬底的供给，由此对衬底进行处理(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-105405号公报

发明内容

在上述结构的衬底处理装置中，对衬底进行加热所产生的影响有可能会波及到分散板。然而，在该情况下，关于气体向衬底的供给，也应当避免例如有损该气体供给均匀性等不良影响的产生。

本发明的目的在于，在利用喷头向衬底进行气体供给的情况下，能够避免对该衬底的加热会给气体供给带来不良影响。

根据本发明的一个方案，提供如下技术，衬底处理装置具备：

处理模块，具有对衬底进行处理的处理室；

衬底搬入搬出口，设于构成所述处理模块的一个壁上；

冷却机构，配置在所述衬底搬入搬出口附近；

衬底载置部，配置在所述处理室内，具有供所述衬底载置的衬底载置面；

加热部，对所述衬底进行加热；

喷头，配置在与所述衬底载置面相对的位置，具有分散板，该分散板由具有第一热膨胀率的材质构成；

分散板支承部，支承所述分散板，由具有与所述第一热膨胀率不同的第二热膨胀率的材质构成；

第一定位部，进行所述分散板与所述分散板支承部之间的定位，配置在所述衬底搬入搬出口的设置侧；

第二定位部，进行所述分散板与所述分散板支承部之间的定位，配置在与所述衬底搬入搬出口的设置侧隔着处理室的相对侧，并且配置在与所述第一定位部沿着从所述衬底搬入搬出口通过的衬底的搬入搬出方向排列的位置。

发明效果

根据本发明，在利用喷头进行气体向衬底的供给的情况下，能够避免对该衬底的加热会给气体供给带来不良影响。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的衬底处理装置的整体结构例的横剖视图。

图2是表示本发明的第一实施方式的衬底处理装置的整体结构例的纵剖视图。

图3是示意性地示出本发明的第一实施方式的衬底处理装置的处理室的概略结构的一例的说明图。

图4是示意性地示出本发明的第一实施方式的衬底处理装置的处理室中的主要部分结构的一例的说明图。