[发明专利]正弦逆变器IGBT结温波动计算方法有效

专利信息
申请号: 201611255694.9 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106712553B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 程炜涛;李发宝;王海军;叶甜春 申请(专利权)人: 江苏中科君芯科技有限公司
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;刘海
地址: 214135 江苏省无锡市新吴区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 正弦 逆变器 igbt 波动 计算方法
【权利要求书】:

1.一种正弦逆变器IGBT结温波动计算方法,其特征是,包括以下步骤:

(1)结合正弦逆变器,根据正弦逆变器输出电流、母线电压计算出IGBT和FRD的导通损耗Pcond和开关损耗PSW,总损耗Ptotal=Psw+Pcond

(2)根据IGBT热阻测试结果,将热阻等效为局部网络热模型;

(3)根据等效的损耗及局部网络热模型,迭代计算结温,求出相应条件下的正弦逆变器的功率器件(IGBT)的最大结温和平均结温;

所述IGBT的导通损耗Pcond(T)和开关损耗PSW(T)如下:

其中,m为调制比,根据厂商提供的数据手册获得;为电压与电流的相角;VCE0(Tj)为IGBT的饱和压降,根据厂商提供的数据手册获得;I1为输出电流,即图2中的Iout;rCE为通态等效内阻;fSW为开关频率;Eon+off为开关损耗的能量;Iref为给定电流;Vcc为母线电压;Vref为给定电压;Kv为开关损耗电压关系的指数参数,一般为1.3~1.4;TCESW为开关损耗的温度系,一般为0.003;Tj为IGBT的设计结温;Tref为IGBT的希望结温;

FRD的导通损耗Pcond(D)和开关损耗PSW(D)如下:

其中,VF0(Tj)为二极管的饱和压降;rF为二极管的等效内阻;Err为反向恢复能量;K1为开关损耗电流关系的指数参数,一般为0.6;TCErr为开关损耗的温度系数,一般为0.006;Tj为二极管的设计结温;Tref为二极管的希望结温。

2.如权利要求1所述的正弦逆变器IGBT结温波动计算方法,其特征是:所述热阻抗Zth(x-y)如下表示:

其中,Rthν为第ν时刻的热阻值;τhν为测量时刻。

3.如权利要求1所述的正弦逆变器IGBT结温波动计算方法,其特征是:所述步骤(3)中进行迭代计算结温时,根据开关周次、等效的损耗、以及网络热模型迭代计算结温,Tj(k)=Rth(js)·P(Tj(k=n))+Ts,其中Rth(js)为结到环境的热阻值,Ts为变量值,P(Tj(k=n))为第n次开关周期的功耗。

4.如权利要求3所述的正弦逆变器IGBT结温波动计算方法,其特征是:所述其中,Ta为环境温度,Rth(sa)为散热器到环境的热阻值,Px(Tj(k=n))为第n次开关周期的功耗。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司,未经江苏中科君芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611255694.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top