[实用新型]一种半导体电容结构有效

申请号：	201620100332.1	申请日：	2016-02-01
公开（公告）号：	CN205355050U	公开（公告）日：	2016-06-29
发明（设计）人：	王勇	申请（专利权）人：	厦门市三安集成电路有限公司
主分类号：	H01L23/64	分类号：	H01L23/64
代理公司：	厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204	代理人：	张松亭;游学明
地址：	361000 福建省厦门***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	一种半导体电容结构
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【权利要求书】：

1.一种半导体电容结构，包括基板(1)，基板(1)上设有沟槽(10)；基板上表面覆盖下电极板(2)，下电极板(2)上表面覆盖电介质层(3)，电介质层(3)的上表面覆盖上电极板(4)，其特征在于：所述的沟槽(10)长度为100-400微米，宽度为5-20微米，深度为1-10微米；沟槽彼此间隔1-10微米。

2.如权利要求1所述的一种半导体电容结构，其特征在于：基板(1)为ⅢV族化合物制成的基板。

3.如权利要求1所述的一种半导体电容结构，其特征在于：沟槽共9个。

4.如权利要求1所述的一种半导体电容结构，其特征在于：下电极板(2)为四层金属结构，由下至上依次是Ti层/Pt层/Au层/Ti层。

5.如权利要求4所述的一种半导体电容结构，其特征在于：四层金属的厚度分别为Ti层200-400微米/Pt层300-500微米/Au层8000-1200微米/Ti层20-40微米。

6.如权利要求1所述的一种半导体电容结构，其特征在于：电介质层(3)为SiN层或SiON层。

7.如权利要求6所述的一种半导体电容结构，其特征在于：电介质层(3)厚度为800-1200A。

8.如权利要求1所述的一种半导体电容结构，其特征在于：上电极板(4)为四层金属结构，由下至上依次是Ti层/Pt层/Au层/Ti层。

9.如权利要求8所述的一种半导体电容结构，其特征在于：四层金属的厚度分别为Ti层200-400微米/Pt层300-500微米/Au层15000-25000微米/Ti层20-40微米。

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