[实用新型]用于支撑基板的静电卡盘有效
申请号: | 201620829812.1 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN206163469U | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 林兴;周建华;Z·J·叶;陈建;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/44;C23C16/513;C23C16/458 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 支撑 静电 卡盘 | ||
1.一种用于支撑基板的静电卡盘,所述静电卡盘包括:
卡盘主体,所述卡盘主体耦合到支撑杆,所述卡盘主体具有基板支撑表面;
多个突片,所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出,其中所述突片绕所述卡盘主体的周围设置;
电极,所述电极嵌入在所述卡盘主体内,所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域;以及
RF电源,所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其进一步包括:
夹持电源,所述夹持电源经由第二电连接耦合到所述电极。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘,其进一步包括:
边缘环,所述边缘环绕所述多个突片设置,其中所述边缘环由具有与将设置在所述基板支撑表面上的所述基板的介电常数类似的介电常数的材料制成。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述电极包括内部电极和环绕所述内部电极的外部电极。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极与所述外部电极不共面。
6.根据权利要求5所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极相对设置在所述外部电极下方。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述卡盘主体包含氮化铝或氧化铝。
8.一种用于支撑基板的静电卡盘,所述静电卡盘包括:
主体,所述主体耦合到支撑杆,所述主体具有基板支撑表面;
环形肩部,所述环形肩部远离所述基板支撑表面突出,所述环形肩部设置在所述主体的周边;
内部电极,所述内部电极嵌入在所述主体内,所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述环形肩部的区域;
外部电极,所述外部电极嵌入在所述主体内,所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部,所述外部电极在所述环形肩部下方径向地延伸,其中所述外部电极相对地设置在所述内部电极下方;
导电连接件,所述导电连接件将所述内部电极与所述外部电极相连接;以及
RF电源,所述RF电源通过第一电连接耦合到所述内部电极。
9.根据权利要求8所述的静电卡盘,其进一步包括:
夹持电源,所述夹持电源经由第二电连接耦合到所述内部电极。
10.根据权利要求8所述的静电卡盘,其进一步包括:
一或多个加热元件,所述一或多个加热元件嵌入在所述主体中,其中所述加热元件沿着与所述内部电极相同的平面设置。
11.一种用于支撑基板的静电卡盘,所述静电卡盘包括:
卡盘主体,所述卡盘主体耦合到支撑杆,所述卡盘主体具有基板支撑表面;
环形肩部,所述环形肩部远离所述基板支撑表面突出,所述环形肩部设置在所述卡盘主体的周边;
内部电极,所述内部电极嵌入在所述卡盘主体内,所述内部电极径向地从所述卡盘主体的中心延伸到邻近所述环形肩部的区域;
外部电极,所述外部电极嵌入在所述卡盘主体内,所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部,所述外部电极在所述环形肩部下方径向地延伸;以及
第一电源,所述第一电源通过第一可变电容器耦合到所述外部电极,所述第一电源经由第一电连接向所述外部电极提供RF偏压。
12.根据权利要求11所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一电源通过第二可变电容器耦合到所述内部电极。
13.根据权利要求12所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一电源提供DC夹持电压和RF偏压。
14.根据权利要求11所述的静电卡盘,其进一步包括:
第二电源,所述第二电源被耦合到所述内部电极,所述第二电源经由第二电连接提供DC夹持电压和RF偏压。
15.根据权利要求14所述的静电卡盘,其特征在于,所述第二电源通过第二可变电容器耦合到所述内部电极。
16.根据权利要求11所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极与所述外部电极共面。
17.根据权利要求11所述的静电卡盘,其特征在于,所述内部电极和所述外部电极不共面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造