[实用新型]小体积双恒温槽恒温晶体振荡器有效
申请号: | 201621186764.5 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN206135824U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 赵亦欣 | 申请(专利权)人: | 河北鸿捷电子科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司13100 | 代理人: | 董金国,李志民 |
地址: | 050000 河北省石家庄*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 体积 恒温槽 恒温 晶体振荡器 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子通信领域,具体涉及一种小体积双恒温槽恒温晶体振荡器。
背景技术
晶体振荡器全称石英晶体振荡器,是一种高精密的振荡器,广泛应用于军用、民用电子、通信、雷达等领域设备中,为设备提供一个精密的时钟基准信号,大致分为4类:通用晶体振荡器(SPXO)、压控晶体振荡器(VCXO)、温度补偿晶体振荡器(TCXO)和恒温晶体振荡器(OCXO)。
随着科学技术的发展和需求,对恒温晶体振荡器的指标即相噪、体积及稳定度的要求越来越高。目前,国内高稳定度双恒温槽恒温晶体振荡器的主要缺点是体积大,较小的达到36mm×27mm×16mm;并且工作电压高于12V,相噪较高。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服上述现有技术中的缺点而提供一种小体积双恒温槽恒温晶体振荡器,使双恒温槽恒温晶体振荡器实现小体积化、高温度稳定度以及低相噪。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:
一种小体积双恒温槽恒温晶体振荡器,包括第一金属屏蔽壳、外槽模块、第二金属屏蔽壳和内槽模块;所述内槽模块设置于所述第二金属屏蔽壳内;所述外槽模块设置于所述第一金属屏蔽壳与第二金属屏蔽壳之间;所述内槽模块包括第一稳压电路、振荡模块和第一恒温模块;所述振荡模块包括晶体、振荡电路和缓冲输出模块;所述第一恒温模块包括第一温度传感器和第一温度控制电路;所述第一温度控制电路包括第一PCB板、设置于第一PCB板上方的第一MOS管和设置于第一PCB板下方的金属导热板;所述外槽模块包括第二稳压电路、第二温度传感器和第二温度控制电路;所述第二温度控制电路包括第二PCB板、第三PCB板以及设置于第二PCB板上的第二MOS管;所述第一PCB板和所述第二PCB板上均设置有金属过孔。
优选地,所述晶体设置于所述金属导热板的下方,并与金属导热板相连。
优选地,所述第三PCB板设置于内槽模块的下方;所述内槽模块通过所述第三PCB板与所述外槽模块连接。
优选地,所述第二PCB板为两个,并对称设置于所述第一金属屏蔽壳的两个侧面;所述第二MOS管为两个,并对称设置于所述第二PCB板上。
优选地,所述振荡模块为非门电路振荡;所述缓冲输出模块为非门电路输出模块。
优选地,所述第一稳压电路和第二稳压电路均采用LDO稳压器。
优选地,所述金属过孔不少于两个。
本实用新型具有如下有益效果:
(1)发热器件选用小封装、大功率、线性好的MOS管,在温度控制电路中控制栅极,使MOS管的电流相应改变,使晶振内部的温度达到设定的温度,使内部温度区域相对稳定,控温精度高、控温线性好,可达到高温度稳定的效果。
(2)本实用新型采用直接对晶体加热的方式,第一MOS管通过第一PCB板上的金属过孔对金属导热板加热,金属导热板把热传导到晶体上,控温精度高。
(3)第二金属屏蔽壳将内、外槽模块隔离开,使内槽模块保持一个相对独立、隔离和密闭的热结构,同时是外槽模块的第二PCB板的支撑以及第二MOS管的导热结构,不仅可以实现本实用新型的小体积化,还具有传热效率高,热损失小的优点。第一金属屏蔽壳可以对整个晶体振荡器进行屏蔽和保护,减小了外界对晶体振荡器造成的损害与影响。
(4)振荡电路中用非门电路代替传统三极管作为振荡器件,缓冲输出模块也用非门电路替代传统三极管作为放大输出,使得晶振输出有更低的相噪,而且电路简单、体积更小。
(5)内槽模块和外槽模块的稳压电路均采用小体积宽温区低压差、低噪声的LDO,RMS噪声小于10uV,可以提供稳定、低噪声的工作电压。
(6)第三PCB板使内槽模块和外槽模块直接相连,大大节省了振荡器内部空间,使本实用新型的振荡器小体积化。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的整体组成示意图;
图2 为本实用新型实施例1的内槽模块结构示意图;
图3为本实用新型实施例1的整体结构示意图。
图中:1-第二金属屏蔽壳,2-第一MOS管,3-第一PCB板,4-金属导热板,5-晶体,6-内槽模块,7-第一金属屏蔽壳,8-第二PCB板,9-第二MOS管,10-第三PCB板,11-外槽模块。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北鸿捷电子科技有限公司,未经河北鸿捷电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621186764.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能电池阵列模拟测试的检测设备
- 下一篇:新型模拟射频信号源