[实用新型]电子镇流器灯管电感高温异常保护电路有效

专利信息
申请号: 201621260958.5 申请日: 2016-11-11
公开(公告)号: CN206212386U 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 李宗杰 申请(专利权)人: 德州三和电器有限公司
主分类号: H05B41/298 分类号: H05B41/298
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司37221 代理人: 张勇
地址: 253034 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 电子镇流器 灯管 电感 高温 异常 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电子镇流器保护电路,具体是涉及电子镇流器灯管电感高温异常保护电路。

背景技术

无极灯是一种磁能灯,没有电极,具有高光效、长寿命、高显色性、色温可选、无频闪、快速启动、热启动、防震、环保,一种代表照明技术的新型光源。它是通过电子镇流器产生的高频信号推动无极灯灯管电感,电感的电磁场耦合到灯管内,使灯管内的气体雪崩电离,形成等离子体,等离子受激原子返回基态时辐射出紫外线,灯泡内壁的荧光粉受到紫外线激发产生可见光。

由于无极灯无电极、高光效、长寿命、高显色性、色温可选、无频闪、快速启动、热启、防震、环保等优点,因此适用于各种照明场所。无极灯灯管电感是无极灯中最关键的元器件,电感的性能直接决定了无极灯的质量。

市场上的无极灯灯管电感的磁场稳定性差、温度特性差等因素,无极灯在高温状况下工作时,灯管电感温度高,电感量下降,电感电流变化,灯管电感温度进一步升高,半桥MOS温升加剧,超出半桥MOS的安全范围时产生热击穿,镇流器损坏。当温度升高导致磁芯接近或者进入饱和状态时,电感电流异常增大,半桥MOS温升快速升高产生热击穿,镇流器损坏。镇流器损坏严重影响了无极灯的市场推广。

实用新型内容

为解决现有技术存在的不足,本实用新型公开了电子镇流器灯管电感高温异常保护电路,该保护电路装配方式简单多样、电路简单、高可靠性、长寿命、低价格,满足无极灯灯管电感磁芯高温异常时,保护电子镇流器的作用。

为实现上述目的,本实用新型的具体方案如下:

电子镇流器灯管电感高温异常保护电路,在电子镇流器电路的输出半桥MOS管处设有检测其高温异常变化的温度取样元器件,所述温度取样元器件的工作状态发生变化继而控制半桥MOS管的关闭或开通。

温度取样元器件的工作状态发生变化时,温度取样元器件将半桥MOS管温度变化信息传输至控制电路,控制电路接收上传的信息并与设定值比较,超过设定值时控制电路控制电子镇流器停止工作进入保护状态,低于设定值时,控制电路控制电子镇流器的半桥MOS管进入工作状态。

温度取样元器件的开关状态发生变化时,温度取样元器件通过检测的半桥MOS管的温度信息,温度取样元器件自身的开关状态改变,控制电子镇流器停止工作进入保护状态,半桥MOS管温度降低后恢复初始开关状态,电子镇流器重新工作。

所述温度取样元器件用于间接检测灯管电感的高温异常。

所述温度取样元器件的工作状态是阻值高低状态,或者是压降高低状态,或者是ON/OFF状态,或者是因温度变化导致的其他参数变化状态。

所述温度取样元器件安装在半桥MOS管的肩部、侧部或中部紧靠MOS管体的部位,或者半桥MOS管周围的PCB上,或者与MOS管固定在一起的其他材料上。

所述温度取样元器件与半桥MOS管紧靠,或者紧靠部位涂抹导热材料,或者与半桥MOS管之间增加绝缘材料。

所述温度取样元器件是温度取样电阻,或者是自恢复温度保险,或者是自恢复温度开关或者是具有温度特性的其他种类的器件。

所述温度取样元器件安装在被保护输出的半桥MOS管的上管上,或者安装在被保护输出半桥MOS管的下管上。

所述温度取样元器件及半桥MOS管均可以采用多种封装形式,包括表面贴装式、直插式或其他封装形式。

所述温度取样元器件与半桥MOS管是立式装配,或者是卧式装配。

一种电子镇流器,用于无极灯,包括上述电子镇流器灯管电感高温异常保护电路。

一种电子镇流器,包括上述所述的电子镇流器灯管电感高温异常保护电路。

一种无极灯,包括上述电子镇流器。所述无极灯用于室内外照明。

一种电源,包括上述的电子镇流器。

本实用新型的有益效果:

本实用新型的保护电路安装方便、电路简单、高可靠性、长寿命、低价格,满足保护电子镇流器。

在灯管电感高温异常时,电感量下降,电感电流变化,温度取样元器件能够及时准确感知因灯管电感高温异常导致的半桥MOS管温度信息,将检测的信息传输至控制电路,控制电子镇流器停止工作进入保护状态;或者温度取样元器件根据检测到的半桥MOS管温度信息,改变自身的ON/OFF状态,控制电子镇流器停止工作进入保护状态。能够及时保护电子镇流器,防止因高温被破坏。

附图说明

图1是电子镇流器灯管电感高温异常保护电路原理图;

图2是温度取样元器件安装在半桥MOS管肩部立式装配图;

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