[实用新型]AI仪表的移相触发模块有效
申请号: | 201621359751.3 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN206370822U | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 周宇 | 申请(专利权)人: | 厦门宇电自动化科技有限公司 |
主分类号: | H03K3/012 | 分类号: | H03K3/012;H03K17/72 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司35218 | 代理人: | 何家富 |
地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ai 仪表 触发 模块 | ||
技术领域
本实用新型属于工业自动化仪表技术领域,具体地涉及一种AI仪表的移相触发模块。
背景技术
目前,AI(人工智能)仪表广泛应用于工业自动化,是由于其具有不可比拟的特点和优点,包括:(1)精度高:利用内装的微处理器,能够实时测量出静压、温度变化对检测原件的影响,通过数据处理,对非线性进行校正,对滞后及复现性进行补偿,使得输出信号更精确,一般情况,精度为最大量程的±0.1%,数值信号可达±0.075%;(2)功能强:具有多种复杂的运算功能,依赖内部微处理器和存储器,可执行开方、温度压力补偿及各种复杂的运算;(3)测量范围宽:量程比可达40:1或100:1,迁移量可达1900%和-200%;(4)通讯功能强:具有模拟量和数字量两种输出方式,为实现现场总线通讯奠定了基础;(5)完善的自诊断功能:通过通讯器可以查出AI仪表的自诊断的故障结果信息。
目前,现有的触发线路一般采用机械触点开关实现触发,该种触发线路容易造成触点烧毁,且对电路的冲击大,对负荷的适应范围较小,严重时造成设备烧损,影响使用寿命。
发明内容
本实用新型目的在于为解决上述问题而提供一种通过可控硅和光耦结合,使用低压、弱电流触发,避免采用机械触点开关而导致的一系列问题,可靠性高,设备使用寿命长的AI仪表的移相触发模块。
为此,本实用新型公开了一种AI仪表的移相触发模块,包括同步脉冲形成电路和触发电路,所述同步脉冲形成电路从电网取得变化规律一致的同步脉冲输出给AI仪表的控制芯片,AI仪表的控制芯片根据接收到的同步脉冲,输出相应的控制信号控制触发电路中可控硅的通断,从而对主回路进行控制;所述同步脉冲形成电路包括依次连接的降压单元、整流单元、第一光电耦合单元、放大单元和滤波单元,所述限流单元接在AI仪表的控制芯片的控制输出端与第二光电耦合单元的输入端之间,所述第二光电耦合单元的输出端接可控硅的控制极,所述可控硅和过流保护单元串联后串接在主回路中。
进一步的,所述降压单元包括电阻R6、R7和R8,所述电阻R6、R7和R8串联后接在电网与整流单元之间。
进一步的,所述整流单元由型号为DB107的整流器组成。
进一步的,所述第一光电耦合单元包括光电耦合器O2,型号为TLP181,所述光电耦合器O2的输入端接整流单元的输出端,所述光电耦合器O2的一输出端串联电阻R3接电源VCC,另一端接放大电路的输入端,同时串联电阻R1接地。
进一步的,所述放大单元包括NPN三极管T1,所述NPN三极管T1的基极接第一光电耦合单元的输出端,所述NPN三极管T1的集电极串联电阻R2接电源VCC,同时接AI仪表的控制芯片,所述NPN三极管T1的发射极接地。
进一步的,所述第二光电耦合单元包括光电耦合器O1,型号为MOC3052,所述光电耦合器O1的输入端通过限流单元接AI仪表的控制芯片的控制输出端,所述光电耦合器O1的输出端接可控硅的控制极。
进一步的,所述可控硅为双向可控硅。
进一步的,所述过流保护单元包括串联的热敏电阻R9和R10。
进一步的,所述AI仪表的移相触发模块通过插座与电网、AI仪表控制芯片和主回路进行相应电连接。
本实用新型的有益技术效果:
本实用新型通过可控硅和光耦结合,使用低压、弱电流触发,避免采用机械触点开关而导致的一系列问题,可靠性高,设备使用寿命长。
采用模块化设计,可以集成到仪表之中,节省使用空间,并采用插拔式连接,安装和使用方便,满足市场需要。
附图说明
图1为本实用新型实施例的电路框图;
图2为本实用新型实施例的同步脉冲形成电路框图;
图3为本实用新型实施例的触发电路框图;
图4为本实用新型实施例的具体电路原理路。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门宇电自动化科技有限公司,未经厦门宇电自动化科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621359751.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:封装结构上的集成扇出封装件及其形成方法
- 下一篇:集成电路封装件及其形成方法