[发明专利]一种静电放电防护电路有效
申请号: | 201680001395.4 | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN108780794B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 李宗隆;杨富强 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人: | 汪琳琳 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 防护 电路 | ||
1.一种静电放电防护电路,其特征在于,所述静电放电防护电路包括:
一第一N型晶体管,包括:
一第一栅极端,耦接于一接地端;
一第一电极端,耦接于所述第一栅极端;以及
一第二电极端;
一第一基极端,耦接于所述第一电极端;以及
一第二N型晶体管,包括:
一第二栅极端,耦接于一金属垫;
一第三电极端,耦接于所述第二栅极端;
一第四电极端,耦接于所述第二电极端;以及
一第一深N型井,设置于所述第三电极端及所述第四电极端的下方;
一第一P型井,其设置于所述第三电极端及所述第四电极端与所述第一深N型井之间;
一第一N型井,所述第一N型井设置于所述第一P型井的一侧;
一N型区,所述N型区设置于所述第一N型井之中。
2.如权利要求1所述的静电放电防护电路,其特征在于,所述N型区接收一电源电压。
3.如权利要求1所述的静电放电防护电路,其特征在于,进一步包括:
一二极管,耦接于所述第二N型晶体管。
4.如权利要求3所述的静电放电防护电路,其特征在于,所述二极管包括:
一第一端,耦接于所述第二N型晶体管;以及
一第二端,接收一电源电压。
5.如权利要求4所述的静电放电防护电路,其特征在于,所述二极管进一步包括:
一第二N型井,设置于所述第一端及所述第二端的下方。
6.如权利要求4所述的静电放电防护电路,其特征在于,所述二极管进一步包括:
一第二P型井,设置于所述第一端及所述第二端的下方。
7.如权利要求6所述的静电放电防护电路,其特征在于,所述二极管进一步包括:
一第二深N型井,设置于所述第二P型井的下方。
8.如权利要求1所述的静电放电防护电路,其特征在于,进一步包括:
多个二极管,形成为一二极管串行;
其中,所述二极管串行的一端耦接于所述第二N型晶体管,另一端接收一电源电压。
9.如权利要求1所述的静电放电防护电路,其特征在于,当所述金属垫的电压为一正静电放电电压时,一第一电流通过所述第一N型晶体管流至所述接地端。
10.如权利要求1所述的静电放电防护电路,其特征在于,当所述金属垫的电压为一正静电放电电压时,所述第一N型晶体管形成一第一双极性晶体管。
11.如权利要求9或10所述的静电放电防护电路,其特征在于,所述正静电放电电压大于一千伏特。
12.如权利要求1所述的静电放电防护电路,其特征在于,当所述金属垫的电压为一负静电放电电压时,一第二电流通过所述第二N型晶体管流至所述金属垫。
13.如权利要求1所述的静电放电防护电路,其特征在于,当所述金属垫的电压为一负静电放电电压时,所述第二N型晶体管形成一第二双极性晶体管。
14.如权利要求12或13所述的静电放电防护电路,其特征在于,所述负静电放电电压小于负一千伏特。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的