[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在半导体基板的一方的主面与另一方的主面之间流通主电流，其特征在于：

在所述半导体基板的所述一方的主面上，设置有：流通所述主电流的活性区域、以及将所述活性区域包围并且包含所述半导体基板的周缘部的耐压区域，

所述半导体装置，包括：

第一绝缘膜，被形成在所述耐压区域上；

过电压保护二极管，具有被交替地相邻配置在所述第一绝缘膜上的N型半导体层与P型半导体层；

多条导体部，被形成在所述第一绝缘膜上，并且与所述过电压保护二极管电气连接；

第二绝缘膜，覆盖所述过电压保护二极管以及所述导体部；以及

高电位部，经由所述第二绝缘膜被配置在所述过电压保护二极管的上方，

其中，所述P型半导体层的P型掺杂物浓度比所述N型半导体层的N型掺杂物浓度更低，

所述高电位部被构成为：在反向偏置施加状态下，具有比位于所述高电位部正下方的P型半导体层的电位更高的电位，

所述高电位部经由被形成在所述第二绝缘膜上的导电连接部与所述导体部电气连接，所述导电连接部的一端与所述高电位部电气连接，另一端与所述导体部电气连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述反向偏置施加状态下，所述P型半导体层的与所述第二绝缘膜之间的界面区域中的正电荷浓度，低于比所述P型半导体层的所述界面区域更靠近内部的区域中的正电荷浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电位被形成在所述第二绝缘膜上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电位部的正下方包含有多个所述P型半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电位部被配置在：比与所述导电连接部连接后的导体部与所述过电压保护二极管相连接的部位更靠近中央部侧的部位中所述过电压保护二极管的上方。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述导电连接部的所述另一端经由贯穿所述第二绝缘膜的接触层与所述导体部电气连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述接触层被配置在用于将所述导体部与所述过电压保护二极管连接的连接区域上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述导电连接部被配置在：从平面上看比与该导电连接部电气连接的所述导体部更靠近所述活性区域侧。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述导电连接部具有：将所述高电位部的一端与所述导体部电气连接的第一导电连接部、以及将所述高电位部的另一端与所述导体部电气连接的第二导电连接部。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

上侧导体部，被形成在所述第二绝缘膜上并由导电性材料所构成，

所述上侧导体部被设置为：与所述高电位部电气连接，并且从平面上看与所述导体部重叠。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述P型半导体层以及所述N型半导体层由多晶硅构成。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一绝缘膜以及/或所述第二绝缘膜由硅氧化膜构成。