[发明专利]树脂组合物和使用该树脂组合物的图案形成方法、以及聚合物的合成方法

权利要求书

1.一种绝缘膜形成用树脂组合物，含有聚合物和有机溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)表示的结构单元以及下述式(1b)表示的结构单元，

式(1a)中，T₀表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团，所述亚芳基的至少1个氢原子被氨基取代了，

式(1b)中，T₁表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团，所述亚芳基具有至少1个下述式(2)表示的取代基，

式中，Z表示任选取代的以下基团：二价脂肪族基、二价芳香族基或二价脂环族基。

2.如权利要求1所述的绝缘膜形成用树脂组合物，所述式(2)表示的取代基中Z是下述式(3)、式(4)、式(5)或式(6)表示的二价基团，

式中，m表示1或2，R₁表示氢原子、碳原子数1～18的烷基、羟基、羧基或烷氧基甲硅烷基，n表示0或1，R₂表示氢原子、碳原子数1～18的烷基、乙烯基、烯丙基、2-丁烯-1-基、2-甲基-2-丙烯基、1-丙烯基或烷氧基甲硅烷基，该烷基为任选被烷氧基甲硅烷基取代的烷基，R₃表示亚甲基、亚乙基、乙烯-1,2-二基或乙烯-1,1-二基。

3.如权利要求1所述的绝缘膜形成用树脂组合物，所述聚合物还含有下述式(7)表示的结构单元，

式中，T₂表示含有至少1个亚芳基的二价有机基团。

4.如权利要求1所述的绝缘膜形成用树脂组合物，所述式(1a)表示的结构单元中T₀表示下述式(11)表示的二价有机基团，所述式(1b)表示的结构单元中T₁表示下述式(12)表示的二价有机基团，

式中，Z与所述式(2)中的定义意思相同，X₁表示单键、碳原子数1～3的亚烷基、碳原子数1～3的氟代亚烷基、亚苯基、-O-基、-S-基、磺酰基、羰基、或该亚苯基与碳原子数1～3的亚烷基、-O-基或-S-基组合而成的基团。

5.如权利要求3所述的绝缘膜形成用树脂组合物，所述式(7)表示的结构单元中T₂表示下述式(13)表示的二价有机基团，

式中，X₂表示单键、碳原子数1～3的亚烷基、碳原子数1～3的氟代亚烷基、含有苯环或环己烷环的碳原子数6～13的二价烃基、-O-基、-S-基、磺酰基或羰基。

6.如权利要求1～5的任一项所述的绝缘膜形成用树脂组合物，所述聚合物的重均分子量是1,000～100,000。

7.如权利要求1～5的任一项所述的绝缘膜形成用树脂组合物，还含有感光剂。

8.如权利要求7所述的绝缘膜形成用树脂组合物，所述感光剂是光自由基产生剂或光产酸剂。

9.如权利要求1～5的任一项所述的绝缘膜形成用树脂组合物，还含有交联剂。

10.如权利要求9所述的绝缘膜形成用树脂组合物，相对于所述聚合物含有10phr～100phr的所述交联剂。

11.如权利要求9所述的绝缘膜形成用树脂组合物，所述交联剂是选自通过热或酸而发生反应的交联剂、和通过自由基而发生反应的交联剂中的至少1种。

12.一种图案的形成方法，包含以下工序：

将权利要求1～11的任一项所述的绝缘膜形成用树脂组合物涂布在基板上，使其干燥而形成涂膜的工序，

用g线、h线、i线、ghi线宽频带或KrF准分子激光将所述涂膜曝光的工序，以及

使用碱性水溶液或有机溶剂将曝光后的膜显影的工序。

13.一种聚合物的合成方法，所述聚合物具有下述式(1a)表示的结构单元以及下述式(1b)表示的结构单元，其特征在于，将具有下述式(1a)表示的结构单元的聚合物、以及下述式(14)表示的单体溶解在有机溶剂中，将所得溶液加热，使所述聚合物和所述单体反应，

式中，T₀表示下述式(11)表示的二价有机基团，

式中，X₁表示单键、碳原子数1～3的亚烷基、碳原子数1～3的氟代亚烷基、亚苯基、-O-基、-S-基、磺酰基、羰基、或该亚苯基与碳原子数1～3的亚烷基、-O-基或-S-基组合而成的基团，

式中，Z表示下述式(3)、式(4)、式(5)或式(6)表示的二价基团，

式中，m表示1或2，R₁表示氢原子、碳原子数1～18的烷基、羟基、羧基或烷氧基甲硅烷基，n表示0或1，R₂表示氢原子、碳原子数1～18的烷基、乙烯基、烯丙基、2-丁烯-1-基、2-甲基-2-丙烯基、1-丙烯基或烷氧基甲硅烷基，该烷基为任选被烷氧基甲硅烷基取代的烷基，R₃表示亚甲基、亚乙基、乙烯-1,2-二基或乙烯-1,1-二基，

式中，T₁表示下述式(12)表示的二价有机基团，

式中，X₁与所述式(11)中的定义意思相同，Z与所述式(14)中的定义意思相同。