[发明专利]火花塞有效

专利信息
申请号: 201680030651.2 申请日: 2016-05-16
公开(公告)号: CN107615605B 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 角力山大典;仲田拓人 申请(专利权)人: 日本特殊陶业株式会社
主分类号: H01T13/39 分类号: H01T13/39;H01T13/20
代理公司: 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 高培培;谢丽娜<国际申请>=PCT/JP
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 火花塞
【权利要求书】:

1.一种火花塞,包括:

中心电极;

接地电极,以在与所述中心电极之间设置有间隙的方式配置;以及

端头,设置于所述中心电极与所述接地电极的相对的各自的末端部中的至少一个末端部,并且沿轴线方向延伸,

所述火花塞的特征在于,

所述端头包括主体部、包覆层和高电阻率层,

所述主体部中,Ir的含量最多,并且,含有2质量%以上的Rh或者Pt,在将具有与Ir、Rh以及Pt的室温下的晶体结构不同的晶体结构的金属元素设为A组元素时,所述主体部中不含有所述A组元素中的任意金属元素,或者所述A组元素的合计含有率为24质量%以下,并且,所述主体部中除去Ru以外的A组元素的合计含有率低于7质量%,

所述高电阻率层设置于所述主体部的侧周面,所述高电阻率层的Ni含有率比所述主体部的Ni含有率多且低于50质量%,所述高电阻率层自身的厚度是2μm以上且45μm以下,

所述包覆层设置于所述高电阻率层的侧周面,并含有50质量%以上的Ni,所述包覆层自身的厚度是3μm以上且20μm以下,

所述端头的室温下的电阻率是20×10-8Ωm以下。

2.根据权利要求1所述的火花塞,其特征在于,

所述端头的室温下的电阻率是10.5×10-8Ωm以上。

3.根据权利要求1或2所述的火花塞,其特征在于,

所述高电阻率层自身的厚度是2μm以上且15μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的火花塞,其特征在于,

所述包覆层包括含有70质量%以上的Ni的高Ni层,

所述高Ni层的厚度Tn与所述包覆层的厚度Th之比(Tn/Th)是0.5以上。

5.根据权利要求1或2所述的火花塞,其特征在于,

所述主体部含有0.6质量%以上且3质量%以下的Ni。

6.根据权利要求1或2所述的火花塞,其特征在于,

所述主体部是具有沿所述轴线方向延伸的形状的晶粒的集合体,所述晶粒的纵横尺寸比是2以上。

7.根据权利要求1或2所述的火花塞,其特征在于,

所述主体部至少含有Ir、Rh、Ru、Re以及W中的Ir、Rh和Ru,并且含有60质量%以上的Ir、6质量%以上且32质量%以下的Rh以及4质量%以上的Ru,Ir、Ru、Re以及W的合计含有率是93质量%以下。

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