[发明专利]有机EL元件的制造方法

权利要求书

1.一种有机EL元件的制造方法，所述有机EL元件具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的至少一层的有机功能层和密封层，

所述有机EL元件的制造方法包括：

形成阳极的工序、形成阴极的工序、形成至少一层的有机功能层的工序和形成密封层的工序，

从形成至少一层的有机功能层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止，制造中的有机EL元件所被暴露的氮氧化物的平均浓度A与暴露时间B满足式(1－1)，所述A的单位为ppm，所述B的单位为秒，

1≤A×B＜12 (1－1)，

A满足式(3－1’)，

0.00019≤A＜1 (3－1’)。

2.如权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其中，

形成至少一层的有机功能层的工序包含成膜阶段、干燥阶段和烧成阶段，该成膜阶段所需的时间C满足式(2－1)，所述C的单位为秒，

0≤A×(B－C)＜12 (2－1)。

3.如权利要求1或2所述的有机EL元件的制造方法，其中，

B满足式(4－1)，

0≤B≤86400 (4－1)。

4.如权利要求2所述的有机EL元件的制造方法，其中，

C满足式(5－1)，

0≤C≤3000 (5－1)。

5.如权利要求1或2所述的有机EL元件的制造方法，其中，

从形成至少一层的有机功能层的工序的开始时起至形成密封层的工序的结束时为止，制造中的有机EL元件所被暴露的氮氧化物的平均浓度D、硫氧化物的平均浓度E、氨的平均浓度F和暴露时间G满足式(6－1)～(6－3)中的至少两个式子，所述D、E和F的单位为ppm，所述G的单位为秒，

0≤D×G＜12 (6－1)

0≤E×G＜2.2 (6－2)

0≤F×G＜105 (6－3)。

6.如权利要求5所述的有机EL元件的制造方法，其中，

D、E和F满足式(9－1)～(9－3)中的至少两个式子，

0≤D＜1 (9－1)

0≤E＜0.3 (9－2)

0≤F＜1 (9－3)。

7.如权利要求5所述的有机EL元件的制造方法，其中，

G满足式(12－1)，

0≤G≤86400 (12－1)。

8.如权利要求6所述的有机EL元件的制造方法，其中，

G满足式(12－1)，

0≤G≤86400 (12－1)。

9.如权利要求1或2所述的有机EL元件的制造方法，其中，

形成至少一层的有机功能层的工序包括：使用含有有机功能材料和有机溶剂的组合物利用涂布法成膜的工序。

10.如权利要求1或2所述的有机EL元件的制造方法，其中，

至少一层的有机功能层包括高分子化合物。