[发明专利]辐射检测器制造有效
申请号: | 201680044181.5 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN107924926B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | J.刘 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/24;G01T1/29 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郑浩;张金金 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 检测器 制造 | ||
1.一种用于制造辐射检测器的光成像仪面板的方法,所述方法包括:
将非晶硅a-Si设置在衬底上;
使所述a-Si熔化;以及
随后使所述a-Si固化以在所述衬底上形成晶体硅c-Si电路,其中所述c-Si电路包括至少多个检测器像素,每个检测器像素包括至少场效应晶体管、光电二极管和电荷放大器。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底包括玻璃、金属、陶瓷、碳或塑料衬底中的一者或多者。
3.根据权利要求1所述的方法,其中设置所述a-Si包括将所述a-Si印刷在所述衬底上以与至少所述场效应晶体管、所述光电二极管和所述电荷放大器相对应。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底是单件的,并且有一个尺寸为至少22 cm。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述c-Si电路进一步包括形成于在所述衬底上的列读出电子设备或行读出选择电路中的一者或两者。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将闪烁体层印刷在所述衬底上位于所述c-Si电路上方处。
7.根据权利要求6所述的方法,其中印刷所述闪烁体层包括印刷像素化闪烁体层,其中所述闪烁体层的像素各自与所述光成像仪面板的相应像素相对应。
8.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:
将反射体印刷在所述闪烁体层上方。
9.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:
将盖层印刷在所述闪烁体层上方,其中反射体如存在,可以位于所述盖层与所述闪烁体层之间。
10.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:
将防散射栅格印刷在所述闪烁体层上方,其中反射体如存在,可以位于所述防散射栅格与所述闪烁体层之间。
11.一种用于制造辐射检测器的闪烁体的方法,所述方法包括:
根据权利要求1所述的方法来提供光成像仪面板;以及
将一层闪烁体材料印刷在所述光成像仪面板上。
12.根据权利要求11所述的方法,其中提供所述光成像仪面板包括使用3D印刷机将光成像仪面板电路印刷到衬底上。
13.根据权利要求12所述的方法,其中印刷所述光成像仪面板电路包括将非晶硅a-Si印刷到所述衬底上、使所述a-Si熔化以及使熔融的a-Si结晶以形成晶体硅c-Si电路。
14.根据权利要求11所述的方法,其中印刷所述闪烁体材料层包括:
将闪烁材料的像素化区域印刷在所述光成像仪面板的相应像素上方;以及
在包层材料印刷在所述闪烁材料的所述像素化区域之间。
15.根据权利要求11所述的方法,其中印刷所述闪烁体材料层包括:
将闪烁材料的像素化区域印刷在所述光成像仪面板的相应像素上方,其中每个像素化区域内的所述闪烁材料印刷成包括闪烁材料的非线性结构。
16.一种辐射检测器的光成像仪面板,所述光成像仪面板包括:
非硅衬底;
印刷在所述非硅衬底上的多个像素,每个像素包括对应于至少一个场效应晶体管、至少一个光电二极管和至少一个电荷放大器的晶体硅c-Si电路。
17.根据权利要求16所述的光成像仪面板,其中所述衬底包括玻璃、金属、陶瓷、碳或塑料衬底中的一者或多者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的