[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器、磁化反转方法及自旋流磁化反转元件

权利要求书

1.一种磁阻效应单元，其具备：

磁阻效应元件，其具有固定了磁化的方向的第一铁磁性金属层、磁化的方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；以及

自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与所述第二铁磁性金属层接合，

在所述磁阻效应元件和所述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于所述磁阻效应元件的电流和流通于所述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配，

所述自旋轨道转矩配线具有与所述第二铁磁性金属层的侧壁接合的侧壁接合部。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应单元，其中，

所述自旋轨道转矩配线含有最外层具有d电子或f电子的原子序号为39以上的非磁性金属。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应单元，其中，

所述自旋轨道转矩配线由纯自旋流生成部和低电阻部构成，其中，纯自旋流生成部由生成纯自旋流的材料构成；低电阻部由电阻小于该纯自旋流生成部的材料构成，

该纯自旋流生成部的至少一部分与所述第二铁磁性金属层相接。

4.根据权利要求2所述的磁阻效应单元，其中，

所述自旋轨道转矩配线由纯自旋流生成部和低电阻部构成，其中，纯自旋流生成部由生成纯自旋流的材料构成；低电阻部由电阻小于该纯自旋流生成部的材料构成，

该纯自旋流生成部的至少一部分与所述第二铁磁性金属层相接。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应单元，其中，

所述自旋轨道转矩配线包含磁性金属。

6.根据权利要求2所述的磁阻效应单元，其中，

所述自旋轨道转矩配线包含磁性金属。

7.根据权利要求4所述的磁阻效应单元，其中，

所述自旋轨道转矩配线包含磁性金属。

8.根据权利要求1所述的磁阻效应单元，其中，

在所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层之间具有覆盖层，将所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层经由所述覆盖层而接合。

9.根据权利要求2所述的磁阻效应单元，其中，

在所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层之间具有覆盖层，将所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层经由所述覆盖层而接合。

10.根据权利要求3所述的磁阻效应单元，其中，

在所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层之间具有覆盖层，将所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层经由所述覆盖层而接合。

11.根据权利要求5所述的磁阻效应单元，其中，

在所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层之间具有覆盖层，将所述自旋轨道转矩配线和所述第二铁磁性金属层经由所述覆盖层而接合。

12.一种磁存储器，其具备多个权利要求1所述的磁阻效应单元。

13.一种磁化反转方法，其特征在于，

其为权利要求1所述的磁阻效应单元的磁化反转方法，

其中，流通于所述自旋轨道转矩配线的电流密度低于1×10⁷A/cm²。

14.一种磁化反转方法，其特征在于，

其为权利要求1所述的磁阻效应单元的磁化反转方法，

其中，在对所述自旋轨道转矩配线的电源施加了电流后，对所述磁阻效应元件的电源施加电流。