[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201680068769.4 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108292703B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 盐川阳平;佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H03B15/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自旋 磁化 反转 元件 磁阻 效应 磁存储器 | ||
1.一种自旋流磁化反转元件，其特征在于，
具备：
磁化方向可变的第一铁磁性金属层；以及
自旋轨道转矩配线，其沿着相对于作为所述第一铁磁性金属层的法线方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且直接或经由其他层与第一铁磁性金属层接合，并且，以电流在所述第二方向上流动的方式构成，通过所述电流产生纯自旋流，向所述第一铁磁性金属层注入所述自旋流，
所述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1-x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，
所述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，所述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素且为具有空间群Pm-3m或Fd-3m的对称性的立方晶结构，但是不包括所述A为Al且所述B为Al的情况；或者，所述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，所述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素且为具有空间群Fm-3m的对称性的立方晶结构。
2.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述材料选自作为CsCl结构的AlxFe1-x、AlxCo1-x、AlxNi1-x、AlxRu1-x、AlxRh1-x、AlxIr1-x、TixFe1-x、TixCo1-x、及TixNi1-x。
3.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其中，
所述材料选自作为Ti2Ni结构的TixFe1-x、TixCo1-x、及TixNi1-x。
4.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其特征在于，
所述材料选自作为Cu3Au结构的PtxAl1-x、PtxCr1-x、PtxMn1-x、PtxFe1-x、及PtxY1-x。
5.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其特征在于，
所述材料选自作为NaCl结构的AlxN1-x、TixC1-x、TixN1-x、YxBi1-x、及TaxN1-x。
6.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其特征在于，
所述材料选自作为BiF3结构的AlxFe1-x、SixMn1-x、及SixFe1-x。
7.根据权利要求1所述的自旋流磁化反转元件，其特征在于，
所述材料选自作为CaF2结构的AlxPt1-x、AlxAu1-x、及AlxCo1-x。
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