[发明专利]掺杂剂、电荷转移盐以及有机电子器件

权利要求书

1.一种式(II)的化合物：

其中：

R¹为H或离子取代基；

每个R⁴独立地为离子取代基或C_1-12烷基；

每个R²独立地为C_1-12烷基；

R³为H；

R⁴之一或R¹是离子取代基；并且

所述离子取代基具有式(III)：

-(Sp¹)p-(A)q

(III)

其中：

P是0或1

在p＝1的情形中，Sp¹是选自C_1-12亚烷基的间隔基团；

A是-COO^-；

q是1，

所述式(II)化合物还包含抗衡离子B以平衡阴离子A的电荷。

2.根据权利要求1所述的化合物，其中所述抗衡离子B是Cs⁺或有机阳离子。

3.一种组合物，该组合物包含有机半导体和根据权利要求1所述的化合物。

4.一种配制物，该配制物包含根据权利要求3的组合物和至少一种溶剂。

5.根据权利要求4的配制物，其中所述至少一种溶剂是极性溶剂，该极性溶剂选自水、醇、二甲基亚砜、碳酸亚丙酯或2-丁酮。

6.一种电荷转移盐，该电荷转移盐是通过用根据权利要求1的化合物掺杂有机半导体而形成的。

7.一种有机电子器件，其包括含有根据权利要求6所述的电荷转移盐的层。

8.根据权利要求7所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件是有机发光器件，该有机发光器件包括阳极、阴极以及介于所述阳极和所述阴极之间的发光层，并且其中包含电荷转移盐的所述层是介于发光层和阴极之间的电子注入层。

9.根据权利要求8所述的有机电子器件，其中所述电子注入层与发光层接触。

10.一种形成有机电子器件的层的方法，该方法包括步骤：将根据权利要求4的配制物沉积到表面上；和蒸发所述一种或多种极性溶剂。

11.根据权利要求10所述的方法，该方法包括通过热处理或照射来激活所述层以引起n-掺杂剂掺杂所述有机半导体的步骤。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述有机电子器件是有机发光器件，该有机发光器件包括阳极、阴极以及介于所述阳极和阴极之间的发光层，并且其中包含n-掺杂的有机半导体的所述层是介于发光层和阴极之间的电子注入层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述表面是发光层的表面。