[发明专利]一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料的制备方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：

步骤一、以40~70wt%的碳化硅粉、15~35wt%的硅粉、1~5wt%的催化剂和10~20wt%的氮源为原料，外加所述原料20~30wt%的去离子水，搅拌30~60min，得到陶瓷浆料；

步骤二、在搅拌条件下，向所述陶瓷浆料加入所述原料10~20wt%的发泡剂制成的泡沫，所述泡沫加入完毕，再持续搅拌30~60min，得到陶瓷泡沫浆料；所述泡沫中发泡剂和去离子水的质量比为1∶（10~15）；

步骤三、将所述陶瓷泡沫浆料倒入模具中，在室温条件和氮气环境中静置1~48h；然后在60~110℃条件下干燥12~24h，脱模，得到陶瓷坯体；

步骤四、将所述陶瓷坯体置于真空管式炉内，在氮气气氛条件下，先以5~10℃/min的速率升温至1100~1150℃，保温1~2h；再以1~4℃/min的速率升温至1200~1600℃，保温3~6h，然后自然冷却至室温，即得氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料；

所述催化剂为铁粉、钴粉、镍粉中的一种；所述催化剂的纯度为99wt%以上，粒度为1~200μm；

所述氮源为叠氮化钠和氯化铵中的一种以上；氮源的纯度为99.0~99.9 wt%；

所述发泡剂为烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、羟甲基纤维素钠和羟乙基纤维素中的一种以上。

2.根据权利要求1所述氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料的制备方法，其特征在于所述碳化硅粉的纯度为85~99.9wt%，粒度为0.1~200μm。

3.根据权利要求1所述氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料的制备方法，其特征在于所述硅粉的纯度为85~99.9wt%，粒度为0.1~200μm。

4.一种氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料，其特征在于所述氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料是根据权利1~3项中任一项所述氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料的制备方法所制备的氮化硅纳米线增强多孔碳化硅材料。