[发明专利]高功率微波介质窗击穿真空侧等离子体诊断装置及方法有效

专利信息
申请号: 201710038695.6 申请日: 2017-01-18
公开(公告)号: CN106879153B 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 常超;朱梦;蒲以康;伍成;曹亦兵 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H05H1/00 分类号: H05H1/00
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司61211 代理人: 汪海艳
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 功率 微波 介质 击穿 真空 等离子体 诊断 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于高功率微波等离子体诊断技术领域,特别涉及一种单次纳秒级微波脉冲内实时等离子体发光光谱随时间和空间演化的方法。

背景技术

高功率微波(High Power Microwave,HPM)是指峰值功率超过100MW,频率1GHz~300GHz的电磁辐射。HPM在科研、民用和国防领域具有非常广阔的应用前景。主要应用包括:(1)通过电子回旋共振机制对受控热核等离子体加热;(2)用于高功率短脉冲雷达,实现较宽频带下精确分辨被探测和跟踪的目标;(3)为地球和太空之间传输能量,为宇宙飞船发射到太空轨道或者轨道之间变换提供能量;(4)用于高能粒子射频加速器,进行高能物理、核物理科学研究;(5)用于HPM定向能武器;将HPM通过定向天线辐射,用高功率、高方向性的窄微波束瞬时照射目标,击穿或烧毁敌方现代化武器系统的关键电子设备,可有效攻击雷达、通信设备、计算机、飞机和导弹等,HPM武器已成为未来高新技术战场上可选择的杀手锏武器。

在高功率微波产生装置中,介质窗保证微波产生所需的真空环境、辐射微波,是必不可缺的重要部件。随着高功率微波器件的峰值功率和脉冲宽度的提高,特别是大功率、小型化微波装置的研制,介质窗微波表面击穿已经成为限制高功率微波传输与发射系统功率提高的主要瓶颈。击穿主要发生在介质窗的真空侧,它由二次电子倍增触发,是在介质表面释放气体层中的等离子体电离雪崩放电。

高功率微波介质窗击穿实验发现不同空间位置的等离子体发光也有不同,因此,需要在单次微波脉冲中诊断等离子体谱线的空间分布。

由于高功率微波介质窗真空表面的等离子体通常存在一定的空间不均匀性,发射光谱也随之呈现空间非均匀。观测介质窗真空侧击穿产生等离子体的发光光谱,可根据光谱反推等离子体的元素成分、密度、温度及其时间分布和空间分布(竖向和沿微波传播方向),从而更深入地认识其机制。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种高功率微波介质窗击穿真空侧等离子体诊断装置及方法,位于纳秒放电的光发射时间内,可以实现x、y和z方向的等离子体时间和三维空间演化诊断。

本发明的技术解决方案是提供一种高功率微波介质窗击穿真空侧等离子体诊断方法,包括以下步骤:

1)馈源喇叭内不同空间位置的等离子体发光同时通过设置在馈源喇叭侧壁上三个方向的多个子光纤束引出;所述子光纤束包括多个长度不同的光纤,相邻光纤之间的长度差相等,长度差为光谱仪时间分辨率与光速的乘积,所述三个方向包括与电场极化方向平行的Y方向,与电场极化方向垂直的X方向,以及与微波传输方向平行或有一定夹角的Z方向;

2)光谱仪同时采集所有子光纤束的光谱,测量等离子体的发射光谱的空间分辨;

3)对每个等离子体光谱进行斯塔克展宽和热多普勒展宽,得到等离子体发光谱线的展宽,按照洛仑兹和高斯分布函数反卷积获得斯塔克展宽的半高宽以得到等离子体密度,再按照洛仑兹和高斯分布函数反卷积获得热多普勒展宽以得到等离子体的温度;

4)通过多个子光纤束同时得到等离子体的时空分布,所述时空分布包括不同时刻、不同空间位置的等离子体的密度和能量参数。

上述Z方向的多个子光纤束与微波传输方向的夹角为馈源喇叭张角的余角。

上述X方向的子光纤束对准介质窗的三象限和四象限;上述Y方向的子光纤束对准介质窗的二象限和三象限;上述Z方向的子光纤束对准介质窗的三象限。

本发明还提供一种高功率微波介质窗击穿真空侧等离子体诊断装置,包括馈源喇叭、位于馈源喇叭底部的介质窗、光纤束、光谱仪和相机,其特殊之处在于:上述馈源喇叭靠近介质窗的侧壁上分别在沿着三个方向开有矩阵阵列光纤孔;上述三个方向包括与电场极化方向平行的Y方向,与电场极化方向垂直的X方向,以及与微波传输方向平行或有一定夹角的Z方向;

上述光纤束包括多个子光纤束;上述子光纤束包括多个长度不同的光纤;上述子光纤束的数量与与光纤孔相同;上述子光纤束的输入端分别插入所述光纤孔中;上述光纤束的输出端的光纤以单排方式依次与光谱仪输入端连接,上述光谱仪的输出端与相机连接;

任意相邻光纤孔之间的间距不小于两倍光纤直径距离,光纤束输出端相邻光纤的间距不小于两倍光纤直径距离。

上述X方向的矩阵阵列光纤孔对准介质窗的三象限和四象限;上述Y方向的矩阵阵列光纤孔对准介质窗的二象限和三象限;上述Z方向的矩阵阵列光纤孔对准介质窗的三象限。

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