[发明专利]制造太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在半导体基板上形成氧化硅膜；以及

连续地将所述氧化硅膜放置在具有550℃至700℃的温度范围的腔室中并且将所述氧化硅膜暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对所述氧化硅膜进行退火来转换为隧穿层，

其中，所述氧化硅膜是通过热氧化形成的，

其中，在退火期间，所述氧化硅膜在第一周期内从低于700℃的温度被缓慢地加热至700℃，在第二周期内被维持在700℃的温度，然后在第三周期内被缓慢地冷却至较低温度，并且

其中，在所述第一周期内的加热速率高于在所述第三周期内的冷却速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一周期内温度每分钟增加10℃。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一周期为8至12分钟。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述较低温度等于或高于600℃。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二周期为12至18分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第三周期内每分钟的温度降低小于在所述第一周期内每分钟的温度增加。

7.根据权利要求6所述的方法，在所述第三周期内温度每分钟降低10℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一周期比所述第二周期短。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一周期、所述第二周期和所述第三周期之和等于或短于1小时。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述氧化硅膜的步骤以及将所述氧化硅膜暴露于570℃至700℃的范围内的温度的步骤是通过原位工艺来执行的。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隧穿层的厚度在1nm至1.5nm的范围内。

12.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

通过热氧化在第一温度下在半导体基板上形成氧化硅膜；

通过连续地将所述氧化硅膜放置在具有550℃至700℃的温度范围的腔室中并且将所述氧化硅膜暴露于570℃至700℃的范围内的温度，来在570℃至700℃的温度下对所述氧化硅膜进行退火以形成隧穿层；以及

在所述隧穿层上形成多晶硅膜，

其中，在退火期间，所述氧化硅膜在第一周期内从低于700℃的温度被缓慢地加热至700℃，在第二周期内被维持在700℃的温度，然后在第三周期内被缓慢地冷却至较低温度，并且

其中，在所述第一周期内的加热速率高于在所述第三周期内的冷却速率。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述氧化硅膜的步骤中，通过化学氧化来形成所述氧化硅膜，并且

其中，在形成所述隧穿层的步骤中，在570℃至700℃的温度下在腔室中执行退火。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述氧化硅膜的步骤中，在腔室中通过热氧化来形成所述氧化硅膜，并且

其中，在所述腔室中原位连续地执行形成所述隧穿层的步骤。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一温度与570℃至700℃的温度相同。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，通过在所述隧穿层上直接沉积多晶硅来形成所述多晶硅膜。