[发明专利]一种肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次生长第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层都为n型掺杂的GaN基半导体材料，所述第一半导体层和所述第二半导体层远离所述衬底的一面都为Ga面；

在所述第二半导体层的Ga面上制作欧姆接触金属层，形成欧姆接触；

在所述欧姆接触金属层上键合基板；

倒装，并使所述第一半导体层的N面暴露；

在所述第一半导体层的N面上制作肖特基接触金属层，形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于：先在所述欧姆接触金属层上制作键合金属层，然后在所述键合金属层上键合所述基板。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于：所述第一半导体层的掺杂浓度在10¹⁸/cm³量级以下，所述第二半导体层的掺杂浓度在10¹⁸/cm³量级以上。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于：所述衬底为硅、碳化硅、蓝宝石或氮化镓。

5.根据权利要求1所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于：在所述衬底上先制作第三半导体层，再制作所述第一半导体层。

6.根据权利要求1所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于，使所述第一半导体层的N面暴露包括：去除所述衬底，使所述第一半导体层的N面暴露。

7.根据权利要求5所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于，使所述第一半导体层的N面暴露包括：去除所述衬底，然后去除所述第三半导体层，使所述第一半导体层的N面暴露。

8.根据权利要求5所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于，所述第三半导体层包括插入层，所述插入层设置于第三半导体层的靠近第一半导体层的一侧。

9.根据权利要求8所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于，使所述第一半导体层的N面暴露包括：去除所述插入层，使所述第一半导体层与所述第三半导体层及所述衬底分离，使所述第一半导体层的N面暴露。

10.根据权利要求9所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于，所述插入层包括InGaN、AlN或Al InN。

11.根据权利要求10所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于，当所述插入层为InGaN时，去除所述插入层包括：通过照射波长400nm以上的光对所述插入层进行选择性电化学腐蚀。

12.根据权利要求9所述的肖特基二极管制作工艺，其特征在于，当所述插入层为AlN时，去除所述插入层包括：通过KOH溶液对所述插入层进行侧向的选择性刻蚀。

13.一种肖特基二极管，其特征在于，至少包括：

第一半导体层，为n型掺杂的GaN基半导体材料，所述第一半导体层的N面形成肖特基接触；

第二半导体层，为n型掺杂的GaN基半导体材料，其中所述第二半导体层远离第一半导体层的一面为Ga面，所述第二半导体层的Ga面形成欧姆接触，所述第二半导体层的N面与所述第一半导体层的Ga面相对。

14.根据权利要求13所述的肖特基二极管，其特征在于：所述第一半导体层的掺杂浓度在10¹⁸/cm³量级以下，所述第二半导体层的掺杂浓度在10¹⁸/cm³量级以上。