[发明专利]显示装置与磊晶晶圆有效

专利信息
申请号: 201710134081.8 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN108573960B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 赖育弘 申请(专利权)人: 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;G09F9/33
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 姚垚;曹正建
地址: 中国台湾台南市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 子像素单元 显示基板 显示装置 发光 光致发光 磊晶结构 量测结果 颜色类型 关联
【权利要求书】:

1.一种显示装置,其特征在于,包括:

一显示基板;

一第一子像素单元,设置于该显示基板,具有一第一发光面积;以及

一第二子像素单元,设置于该显示基板,具有一第二发光面积;

其中该第一子像素单元与该第二子像素单元为同一颜色类型,该第一子像素单元与该第二子像素单元从一磊晶晶圆形成后转移至该显示基板,该第一发光面积与该第二发光面积的大小至少关联于该磊晶晶圆的一光致发光量测结果,

其中该光致发光量测结果具有一量测中心波长分布,该磊晶晶圆定义有多个量测位置,该第一子像素单元于该磊晶晶圆形成前对应于多个所述量测位置的其中之一,该第二子像素单元于该磊晶晶圆形成前对应于多个所述量测位置的其中之另一,该量测中心波长分布用来指示分别关联于多个所述量测位置的多个量测中心波长,该第一子像素单元的该第一发光面积关联于该第一子像素单元对应的量测位置的量测中心波长,该第二子像素单元的该第二发光面积关联于该第二子像素单元对应的量测位置的量测中心波长,

其中当该第一子像素单元对应的量测中心波长与该第二子像素单元对应的量测中心波长大于一标准中心波长范围的一上限时,该第一子像素单元的该第一发光面积与该第二子像素单元的该第二发光面积被定义为小于一标准面积,当该第一子像素单元对应的量测中心波长与该第二子像素单元对应的量测中心波长小于该标准中心波长范围的一下限时,该第一子像素单元的该第一发光面积与该第二子像素单元的该第二发光面积被定义为大于该标准面积,

其中该第一子像素单元受控于一驱动电流而产生一第一激发光,该第二子像素单元受控于该驱动电流而产生一第二激发光,该第一激发光的中心波长与该第二激发光的中心波长落于标准中心波长范围中。

2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一激发光的中心波长与该第二激发光的中心波长的差值小于一第一预设阀值,该第一预设阀值不大于2纳米。

3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一子像素单元与该第二子像素单元的电流密度介于0.001安培/平方厘米至5安培/平方厘米之间。

4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该显示装置更包含多个像素单元,该第一子像素单元与该第二子像素单元分别设置于不同的像素单元。

5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该显示装置更包含多个像素单元,每一个所述像素单元包含至少三种不同颜色类型的子像素单元,于同一方向上,任两相邻的多个所述像素单元中的同一颜色类型的该子像素单元距离相同。

6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该第一子像素单元与该第二子像素单元于该磊晶晶圆形成前的相对位置相等于该第一子像素单元与该第二子像素单元于该显示基板的相对位置。

7.一种磊晶晶圆,其特征在于,包括:

一磊晶基板;以及

一磊晶结构,设置于该磊晶基板,定义为一颜色类型,该磊晶结构包括:

一第一子磊晶结构,具有一第一发光面积;以及

一第二子磊晶结构,具有一第二发光面积;

其中该第一发光面积与该第二发光面积的大小关联于该磊晶结构的一光致发光量测结果,

其中该光致发光量测结果具有一量测中心波长分布,该磊晶晶圆的该磊晶结构定义有多个量测位置,该第一子磊晶结构对应于多个所述量测位置的其中之一,该第二子磊晶结构对应于多个所述量测位置的其中之另一,该量测中心波长分布用来指示关联于多个所述量测位置的多个量测中心波长,该第一子磊晶结构的该第一发光面积关联于该第一子磊晶结构对应的该量测位置的该量测中心波长,该第二子磊晶结构的该第二发光面积关联于该第二子磊晶结构对应的该量测位置的该量测中心波长,

其中当该第一子磊晶结构对应的量测中心波长与该第二子磊晶结构对应的量测中心波长大于一标准中心波长范围的一上限时,该第一子磊晶结构的该第一发光面积与该第二子磊晶结构的该第二发光面积被定义为小于一标准面积,当该第一子磊晶结构对应的量测中心波长与该第二子磊晶结构对应的量测中心波长小于该标准中心波长范围的一下限时,该第一子磊晶结构的该第一发光面积与该第二子磊晶结构的该第二发光面积被定义为大于该标准面积。

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