[发明专利]一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池有效
申请号: | 201710174398.4 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107302034B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 黄茜;仝玉鹏;张晓丹;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/075;H01L31/0445 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 等离子 增强 纳米 结构 太阳电池 | ||
1.一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池,包括一个具有表面等离子激元增强特性的复合纳米结构和一个PIN或NIP型薄膜太阳电池,其特征在于:所述薄膜太阳电池直接沉积于复合纳米结构之上,构成三维纳米微腔结构;所述表面等离子激元增强型纳米微腔的太阳电池具有显著的光吸收增强效果;复合纳米结构由氧化物三维纳米阵列与金属纳米颗粒构成,其中三维纳米阵列包括纳米柱、纳米锥、纳米球阵列中的至少一种,其中金属纳米颗粒包括金纳米颗粒、银纳米颗粒、铝纳米颗粒中至少一种材料;其制备方法为:在透明玻璃衬底上制备一层单分散性SiO2小球,并在SiO2小球上附着纳米Ag颗粒,随后沉积一层透明导电ZnO:Al作为前电极,从而构成表面等离子增强型SiO2 NS/Ag NPs/ZnO:Al复合纳米结构,在SiO2 NS/Ag NPs/ZnO:Al复合纳米结构之上依次沉积p/i/n型功能薄膜材料,构成PIN型非晶硅薄膜太阳电池,在n型功能层上制备ZnO/Ag背电极。
2.根据权利要求1所述的表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池,其中所述具有表面等离子激元增强特性的复合纳米结构有导电特性,能够实现电子或空穴的有效传输。
3.根据权利要求1所述的表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池,其中所述薄膜太阳电池包括无机薄膜太阳电池、有机薄膜太阳电池及由以上两种中至少一种构成的叠层太阳电池。
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