[发明专利]有机EL显示装置和有机EL显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种有机EL显示装置，具有多个像素，在各所述像素中具有对流过有机EL元件的电流进行控制的晶体管，

所述有机EL显示装置的特征在于，

所述晶体管具有：

漏电极和源电极，所述漏电极和源电极中的一方与所述有机EL元件电连接，另一方被从所述有机EL显示装置的外部供给电源；

形成在所述源电极和所述漏电极之间的第1栅电极；和

形成在所述第1栅电极的下层侧的半导体膜，

所述半导体膜的、所述第1栅电极与所述漏电极或所述源电极之间的区域中的一方的第1区域被以高浓度注入n型离子，另一方的第2区域被以低浓度注入n型离子，

所述晶体管在所述第1栅电极之上隔着绝缘层具备第2栅电极，该第2栅电极具有在俯视时与所述第1栅电极和所述第2区域的至少一部分重合的区域，

所述第2栅电极设置成：具有与所述第1区域和所述第2区域中的、所述第2区域在俯视时重合的区域，不具有与所述第1区域和所述第2区域中的、所述第1区域重合的区域。

2.如权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

所述第1区域在该第1区域的整个区域中被以高浓度注入n型离子，所述第2区域在该第2区域的整个区域中被以低浓度注入n型离子。

3.一种有机EL显示装置的制造方法，所述有机EL显示装置具有多个像素，在各所述像素中具有对流过有机EL元件的电流进行控制的晶体管，

所述有机EL显示装置的制造方法的特征在于，包括：

形成包含于所述晶体管的半导体膜的步骤；

在所述半导体膜的上层侧，在所述半导体膜的中央部形成第1栅电极的步骤；

以所述第1栅电极为掩模，对所述半导体膜注入n型离子的步骤；

以覆盖所述半导体膜和所述第1栅电极的方式形成绝缘膜的步骤；

在所述绝缘膜的上层侧，以仅与所述半导体膜中的、所述第1栅电极与漏电极侧或源电极之间的区域中的一方重合的方式形成第2栅电极的步骤；和

以所述第2栅电极为掩模，对所述半导体膜注入n型离子的步骤，

其中，所述半导体膜的、所述第1栅电极与所述漏电极或所述源电极之间的区域中的一方的第1区域被以高浓度注入n型离子，另一方的第2区域被以低浓度注入n型离子，

所述晶体管在所述第1栅电极之上隔着绝缘层具备第2栅电极，该第2栅电极具有在俯视时与所述第1栅电极和所述第2区域的至少一部分重合的区域，

所述第2栅电极设置成：具有与所述第1区域和所述第2区域中的、所述第2区域在俯视时重合的区域，不具有与所述第1区域和所述第2区域中的、所述第1区域重合的区域。