[发明专利]耗材芯片的操作方法、耗材芯片、耗材容器、耗材设备有效
申请号: | 201710211622.2 | 申请日: | 2017-04-01 |
公开(公告)号: | CN106945406B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 沈志;孙云;黄文溪;彭新平 | 申请(专利权)人: | 杭州旗捷科技有限公司 |
主分类号: | B41J2/175 | 分类号: | B41J2/175 |
代理公司: | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 裴金华 |
地址: | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耗材芯片 高速存储模块 耗材容器 耗材 打印机耗材 打印机命令 复杂运算 时间要求 芯片MCU 运行时 打印机 主频 | ||
1.一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:将存储在低速存储模块中的高速代码和执行所述高速代码所需的数据,从所述低速存储模块复制到高速存储模块;执行存储在所述低速存储模块中的代码过程中,轮到执行高速代码时,切换至所述高速存储模块;所述高速存储模块的读/写速度比所述低速存储模块的读/写速度快。
2.根据权利要求1所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于,包括步骤:
步骤S1,执行存储在所述低速存储模块中的启动代码;
步骤S2,轮到执行存储在所述低速存储模块中的高速代码时,跳转至所述高速存储模块,并且执行存储在所述高速存储模块中的高速代码;
所述启动代码根据分散加载文件将所述高速代码和执行所述高速代码所需的数据从所述低速存储模块复制到所述高速存储模块。
3.根据权利要求2所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:所述分散加载文件包括所述高速代码在所述低速存储模块中的存储地址信息和长度信息,所述高速代码在所述高速存储模块中的存储地址信息。
4.根据权利要求3所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:所述分散加载文件包括运行起始地址,所述运行起始地址指向存储在所述低速存储模块的低速代码,所述低速代码的运算量比所述高速代码的运算量小。
5.根据权利要求2所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于,还包括:
步骤S3,存储在所述高速存储模块中的高速代码执行完毕后,跳转回所述低速存储模块,并且执行存储在所述低速存储模块中的位于所述高速代码之后的程序代码。
6.根据权利要求5所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于,所述步骤S2包括,
步骤S2-1,保存当前运算状态;
步骤S2-2,获取高速代码在所述高速存储模块中的高速代码起始地址;
步骤S2-3,根据所述高速代码起始地址访问所述高速存储模块,并且执行存储在高速存储模块中的所述高速代码。
7.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述的一种耗材芯片的操作方法,其特征在于:所述低速存储模块和所述高速存储模块的地址不同。
8.一种耗材芯片,包括低速存储模块、运算模块和临时存储模块,所述低速存储模块存储程序代码以及执行所述程序代码所需的数据,所述运算模块执行所述程序代码,所述临时存储模块存储所述程序代码运行过程中的临时数据;其特征在于:所述程序代码包括启动代码和高速代码,所述运算模块运行从所述低速存储模块复制到高速存储模块中的高速代码;所述高速存储模块的读/写速度比所述低速存储模块的读/写速度快。
9.根据权利要求8所述的一种耗材芯片,其特征在于:所述启动代码根据分散加载文件将所述高速代码和执行所述高速代码所需的数据从所述低速存储模块复制到所述高速存储模块。
10.根据权利要求9所述的一种耗材芯片,其特征在于:所述分散加载文件包括所述高速代码在所述低速存储模块中的存储地址信息和长度信息,所述高速代码在所述高速存储模块中的存储地址信息。
11.根据权利要求10所述的一种耗材芯片,其特征在于:所述分散加载文件包括运行起始地址,所述运行起始地址指向存储在所述低速存储模块的低速代码,所述低速代码的运算量比所述高速代码的运算量小。
12.根据权利要求8或9或10或11所述的一种耗材芯片,其特征在于:所述高速存储模块为静态随机存取存储器。
13.根据权利要求8或9或10或11所述的一种耗材芯片,其特征在于:所述低速存储模块为非易失性存储器。
14.根据权利要求13所述的一种耗材芯片,其特征在于:所述低速存储模块为动态随机存取存储器。
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