[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括：埋设的若干光电二极管区；金属互连层；所述光电二极管区外侧的第一凹槽，所述第一凹槽的底部露出部分所述金属互连层；

在所述器件晶圆上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层中形成有第一开口以及形成有露出所述第一凹槽以及所述第一凹槽外侧的焊垫区的第二开口，所述第一开口的数量为若干个并间隔设置；

在所述第一开口的底部、所述第二开口的底部以及所述第一凹槽的底部和侧壁上形成导电材料层，所述第二开口底部以及所述第一凹槽底部和侧壁上的所述导电材料层为与所述金属互连层电连接的导电层；

去除所述掩膜层，使得所述导电材料层除所述导电层之外的部分形成网格结构，所述网格结构在对应所述掩膜层的位置形成有网格开口，其中，所述第一开口的顶部尺寸小于底部的尺寸，所述第二开口的顶部尺寸小于底部的尺寸，湿法刻蚀去除所述掩膜层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光电二极管区、所述网格开口在所述器件晶圆的厚度方向上的投影重合，并一一对应。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述光电二极管之后，在形成所述第一凹槽之前，还包括对所述器件晶圆的预定形成所述第一凹槽的表面进行减薄处理的步骤。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述器件晶圆包括：

器件衬底，所述光电二极管区位于所述器件衬底内；

位于所述器件衬底上的层间介电层，所述金属互连层位于所述层间介电层内，所述层间介电层和所述第一凹槽分别设置在所述器件衬底相对的表面上；

位于所述器件衬底及光电二极管区上的绝缘层，所述第一凹槽依次贯穿所述绝缘层、所述器件衬底及部分所述层间介电层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一凹槽包括贯穿所述绝缘层和所述器件衬底的沟槽以及贯穿部分所述层间介电层的通孔开口，所述通孔开口露出部分所述金属互连层的表面，所述沟槽的口径大于所述通孔开口的口径。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的步骤包括：

在所述器件衬底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层和所述层间介电层形成在所述器件衬底相对的表面上；

依次刻蚀所述光电二极管外侧的部分所述第一绝缘层和所述器件衬底，直到露出部分所述层间介电层，以形成所述沟槽；

在所述第一绝缘层的表面以及所述沟槽的底部和侧壁上形成第二绝缘层；

蚀刻从所述沟槽中露出的部分所述层间介电层，直到露出部分所述金属互连层的表面，以形成所述通孔开口。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括光刻胶材料。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料层的材料包括金属材料，所述金属材料包括W、Al、Ti、TiN、Ta和TaN中的至少一种。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述掩膜层之后，还包括以下步骤：

形成覆盖层，以覆盖所述网格结构和所述导电层；

蚀刻去除焊垫区内的部分所述覆盖层，以形成露出部分所述导电层的焊垫开口；

在所述焊垫开口露出的所述导电层上形成焊垫；

在所述焊垫上形成焊球。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成所述焊球之后还包括以下步骤：

在所述网格结构的所述网格开口中形成滤色镜，以使滤色镜镶嵌在所述网格开口中；

在所述滤色镜的表面形成若干微透镜。

11.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括依次形成在所述器件衬底的第二表面上的氮化物层和氧化物层。

12.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在形成第一凹槽之前还包括提供支撑晶圆，将所述支撑晶圆和所述层间介电层的表面相接合的步骤。