[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括：埋设的若干光电二极管区；金属互连层；光电二极管区外侧的第一凹槽，第一凹槽的底部露出部分金属互连层；在器件晶圆上形成图案化的掩膜层，掩膜层中形成有第一开口以及形成有露出第一凹槽以及第一凹槽外侧的焊垫区的第二开口，第一开口的数量为若干个并间隔设置；在第一开口的底部、第二开口的底部以及第一凹槽的底部和侧壁上形成导电材料层，第二开口底部以及第一凹槽底部和侧壁上的导电材料层为与金属互连层电连接的导电层；去除掩膜层，使得导电材料层除导电层之外的部分形成网格结构，网格结构在对应掩膜层的位置形成有网格开口。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的背照式图像传感器。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

由于CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)具有改善的制造技术和特性，因此半导体制造技术各方面都集中于开发CMOS图像传感器。CMOS图像传感器利用CMOS技术制造，并且具有较低功耗，更容易实现高度集成，制造出尺寸更小的器件，因此，CMOS图像传感器广泛的应用于各种产品，例如数字照相机和数字摄像机等。

背照式(BSI)图像传感器可以减少/避免电路层或氧化层对光线的吸收和反射，因而具有较高的感光度和信噪比。为了提高光子捕集效率，现在许多高性能CMOS图像传感器都是背照式(BSI)图像传感器。

随着像素尺寸的缩小，背照式(BSI)图像传感器正遭受严重的串扰(crosstalk)问题。主要包括以下几种串扰：光谱串扰(spectral crosstalk)、光学串扰(opticalcrosstalk)和电串扰(electrical crosstalk)。其中，光谱串扰由滤色镜(color filter，CF)工艺的未对准(mis-alignment)引起，光学串扰是由光子穿透到相邻的错的光电二极管中引起，电串扰是电子扩散或漂移到其他像素所引起。光谱串扰(spectral crosstalk)和光学串扰(optical crosstalk)可以通过将滤色镜镶嵌到金属网格结构中解决。

然而，现有背照式(BSI)图像传感器的制备工艺过程复杂，尤其是在引入金属网格结构后，例如，需要多步沉积金属层，并进行多步的干法刻蚀工艺步骤，来对金属层进行图案化以形成金属网格等结构，干法刻蚀实施的过程中很容易对器件造成刻蚀等离子损伤，进而影响器件的性能和良品率。

因此，有必要提出一种新的半导体器件的制造方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括：埋设的若干光电二极管区；金属互连层；所述光电二极管区外侧的第一凹槽，所述第一凹槽的底部露出部分所述金属互连层；

在所述器件晶圆上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层中形成有第一开口以及形成有露出所述第一凹槽以及所述第一凹槽外侧的焊垫区的第二开口，所述第一开口的数量为若干个并间隔设置；

在所述第一开口的底部、所述第二开口的底部以及所述第一凹槽的底部和侧壁上形成导电材料层，所述第二开口底部以及所述第一凹槽底部和侧壁上的所述导电材料层为与所述金属互连层电连接的导电层；

去除所述掩膜层，使得所述导电材料层除所述导电层之外的部分形成网格结构，所述网格结构在对应所述掩膜层的位置形成有网格开口。