[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201710228606.4 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107275410A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/477;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包含：
栅极电极；
所述栅极电极上的第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及
所述氧化物半导体膜上的第一导电膜和第二导电膜，
其中，当从上方观察时，所述第一导电膜和所述第二导电膜设置在所述氧化物半导体膜之内，以及
其中，所述氧化物半导体膜的末端位于所述第一导电膜及所述第二导电膜的末端之外，以便距所述第一导电膜及所述第二导电膜的末端具有大于或等于1μm且小于或等于10μm的距离，使得所述氧化物半导体膜的上表面的部分从所述第一导电膜及所述第二导电膜暴露。
2.一种半导体器件，包含：
栅极电极；
所述栅极电极上的第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；
所述氧化物半导体膜上的第一导电膜和第二导电膜；
所述第一导电膜和所述氧化物半导体膜之间的第三导电膜；以及
所述第二导电膜和所述氧化物半导体膜之间的第四导电膜，
其中，当从上方观察时，所述第一导电膜和所述第二导电膜设置在所述氧化物半导体膜之内，以及
其中，所述氧化物半导体膜的末端位于所述第一导电膜及所述第二导电膜的末端之外，以便距所述第一导电膜及所述第二导电膜的末端具有大于或等于1μm且小于或等于10μm的距离，使得所述氧化物半导体膜的上表面的部分从所述第一导电膜及所述第二导电膜暴露。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三导电膜和所述第四导电膜各自具有高于所述第一导电膜和所述第二导电膜且低于所述氧化物半导体膜的电阻率。
4.一种半导体器件，包含：
包含第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘的栅极电极；
所述栅极电极上的第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜上且与所述栅极电极的所述第一边缘和所述第二边缘重叠的氧化物半导体膜；以及
所述氧化物半导体膜上的第一导电膜和第二导电膜，
其中，当从上方观察时，所述第一导电膜和所述第二导电膜设置在所述氧化物半导体膜之内，以及
其中，在所述氧化物半导体膜与所述第一边缘重叠的第一区域和所述氧化物半导体膜与所述第二边缘重叠的第二区域之间的所述氧化物半导体膜的侧表面上的距离长于所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的距离。
5.一种半导体器件，包含：
包含第一边缘和与所述第一边缘相对的第二边缘的栅极电极；
所述栅极电极上的第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜上且与所述栅极电极的所述第一边缘和所述第二边缘重叠的氧化物半导体膜；
所述氧化物半导体膜上的第一导电膜和第二导电膜；
所述第一导电膜和所述氧化物半导体膜之间的第三导电膜；以及
所述第二导电膜和所述氧化物半导体膜之间的第四导电膜，
其中，当从上方观察时，所述第一导电膜和所述第二导电膜设置在所述氧化物半导体膜之内，以及
其中，在所述氧化物半导体膜与所述第一边缘重叠的第一区域和所述氧化物半导体膜与所述第二边缘重叠的第二区域之间的所述氧化物半导体膜的侧表面上的距离长于所述第一导电膜和所述第二导电膜之间的距离。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第三导电膜和所述第四导电膜各自具有高于所述第一导电膜和所述第二导电膜且低于所述氧化物半导体膜的电阻率。
7.根据权利要求1~6的任一项所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体膜包含铟、镓以及锌。
8.根据权利要求1~6的任一项所述的半导体器件，其中，所述氧化物半导体膜包含铟、镓以及锌，并且包含晶体部分。
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