[发明专利]半导体装置结构

说明书

技术领域

本发明实施例有关于半导体技术，特别有关于半导体装置的结构及其制造方法。

背景技术

半导体装置使用在各种电子应用中，如：个人电脑、手机、数字相机及其它电子设备。半导体装置的制造通常是通过依序地沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层的材料于半导体基底，以及使用微影技术将前述各种材料层图案化，以形成电路部件及元件于半导体基底上而达成。许多集成电路通常于单一半导体晶片上制造，且晶片上的个别晶粒通过沿着切割线在集成电路之间进行切割而单一化。举例而言，在多芯片模组中或在其它类型的封装中，个别的晶粒通常是分别地封装。

晶片级封装(wafer level package，WLP)结构是作为电子产品的半导体组件的封装结构的其中的一。愈来愈多的输入输出(input-output，I/O)电性接触结合对高效能集成电路愈来愈多的要求，已发展出扇出型(fan-out)晶片级封装结构，其使得输入输出电性接触的密集度能够达到最小间距的减轻(pitch relief)。

虽然现存的晶片级封装结构及制造晶片级封装的方法已大致上满足它们预期的目的，但它们在各方面还未完全令人满意。

发明内容

在一些实施例中，提供半导体装置结构。半导体装置结构包含基底及形成于基底之上的导电焊垫。半导体装置结构还包含保护层形成于导电焊垫之上，且保护层具有沟槽。半导体装置结构更包含导电结构可接近地安排穿过保护层的沟槽且与导电焊垫电性连接，且导电结构具有弯曲的顶面，其界定出顶点，且弯曲顶面的顶点高于保护层的顶面。

在另一些实施例中，提供半导体装置结构。半导体装置结构包含基底及形成于基底之上的导电焊垫。半导体装置结构还包含导电结构形成于导电焊垫之上，并且导电结构与导电焊垫电性连接，导电结构具有弯曲的顶面，其界定出顶点。半导体装置结构更包含晶种层形成于导电结构上，晶种层与导电结构直接接触，并且晶种层具有弯曲底面。半导体装置结构也包含后钝化互连(PPI)结构形成于晶种层之上，且后钝化互连结构具有弯曲底面。

在又一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法。此方法包含形成多个晶粒于第一晶片的第一基底之上，及形成导电结构于其中一个晶粒之上，其中导电结构界定出弯曲顶面。此方法还包含形成焊接材料在导电结构上，且透过焊接材料对导电结构进行功能测试。此方法更包含通过蚀刻制程移除焊接材料，使得在蚀刻制程之后，导电结构的弯曲顶面保留在导电结构上。

附图说明

为了让本发明实施例的各个观点能更明显易懂，以下配合所附附图作详细说明。应该注意，根据工业中的标准范例，各个部件(feature)未必按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A-1I是根据本发明的一些实施例，显示形成半导体装置结构的各阶段的剖面示意图。

图2A是根据本发明的一些实施例，显示图1F的A区的放大剖面示意图。

图2B是根据本发明的一些实施例，显示图1H的B区的放大剖面示意图。

图3是根据本发明的一些实施例，显示半导体装置结构的剖面示意图。

图4是根据本发明的一些实施例，显示晶片上的晶粒(die-on-wafer)结构。

图5A-5E是根据本发明的一些实施例，显示扇出型晶片级封装结构。

图6是根据本发明的一些实施例，显示图5C的C区的放大剖面示意图。

【符号说明】

10～第一晶粒；

15～挑选/放置机；

20～第二晶粒；

22～探针；

40～蚀刻制程；

50～切割线；

100～第一晶片；

102～基底；

104～装置元件；

110～第一层间介电层；

120～第二层间介电层；

130～金属间介电层；

132～第一金属层；

133～介层窗；

134～第二金属层；

137、157～开口；

140～绝缘层；

142～导电焊垫；

150～保护层；

160～导电结构；

160a～边缘部分；

160b～中间部分；

162～焊接材料；

200～第二晶片；

202～第二基底

204～附着层

206～基础层