[发明专利]发光二极管磊晶结构在审
| 申请号： | 201710249399.0 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107403858A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 杨仲傑;王德忠 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
1.一种发光二极管磊晶结构，其特征在于，包含：
一基板；
一缓冲层，设置于该基板上；
一第一半导体层，设置于该缓冲层上；
一发光层，设置于该第一半导体层上；
一中介层，设置于该发光层上，其中该中介层的材质为P型氮化铝；
一第二半导体层，设置于该中介层上，其中该第二半导体层的材质为P型氮化铝镓；以及
一接触层，设置于该第二半导体层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层的厚度小于或等于该第二半导体层的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层的厚度为1nm至10nm。
4.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该第二半导体层的厚度为10nm至50nm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层的掺杂浓度小于或等于该第二半导体层的掺杂浓度。
6.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层的掺杂浓度为1×1017(atom/cm3)至2×1018(atom/cm3)。
7.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该第二半导体层的掺杂浓度为2×1018(atom/cm3)至3×1019(atom/cm3)。
8.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层与该第二半导体层为掺杂镁。
9.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层的铝重量百分比大于该第二半导体层的铝重量百分比。
10.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该发光层所发射的光线的波长包含波长小于或等于280nm的光线。
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