[发明专利]一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机在审
申请号: | 201710259097.1 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN106911237A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 陈云云;丁宇;莫岳平 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | H02K16/04 | 分类号: | H02K16/04;H02K1/14;H02K1/17;H02K1/22 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙)32222 | 代理人: | 许必元 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 类多励磁源双 定子 切换 记忆 电机 | ||
1.一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机,包括电机壳,其特征在于:所述少稀土类多励磁双定子磁通记忆电机从外至内依次由同轴的外定子(1)、转子(2)和内定子(3)相互套接组成;所述外定子(1)与转子(2)之间、所述转子(2)与内定子(3)之间均存在径向气隙;
所述外定子(1)固定设置在所述电机壳的内壁上,所述外定子(1)由外定子轭部(1-1)、电枢铁心齿(1-2)和容错齿(1-3)构成;所述电枢铁心齿(1-2)和容错齿(1-3)均沿所述外定子(1)的内圆周面均匀间隔排列,所述电枢铁心齿(1-2)上设有电枢绕组(1-4),所述容错齿(1-3)上设有磁化绕组(1-5);
所述转子(2)固定设置在电机输出轴上,所述转子(2)由转子支架、导磁硅钢块(2-1)和磁绝缘块(2-2)构成;所述导磁硅钢块(2-1)和磁绝缘块(2-2)均匀交错设置在所述转子支架的外圆表面;
所述内定子(3)由内定子铁心(3-1)和混合永磁单元块(3-2)构成,所述混合永磁单元块(3-2)沿圆周方向均匀嵌置在所述定子铁心(3-1)内,相邻的所述混合永磁单元块(3-2)沿切向充磁且方向相反分布。
2.根据权利要求1所述的一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机,其特征在于:所述外定子(1)采用双凸极结构,电枢铁心齿(1-2)和容错齿(1-3)的齿数相同,外定子轭部(1-1)为环状结构。
3.根据权利要求1所述的一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机,其特征在于:所述电枢绕组(1-4)和磁化绕组(1-5)均为集中分布式绕组,电枢绕组(1-4)为m相绕组,磁化绕组(1-5)为单相绕组。
4.根据权利要求1所述的一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机,其特征在于:所述混合永磁单元块(3-2)是由稀土汝铁硼永磁体(3-2a)和非稀土铝镍钴永磁体(3-2b)呈径向并列设置的双层式结构。
5.根据权利要求1所述的一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机,其特征在于:所述转子(2)整体呈圆筒杯状,环体沿周向交错排列导磁硅钢块(2-1)和磁绝缘块(2-2),形成调制环结构。
6.根据权利要求1所述的一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机,其特征在于:所述混合永磁单元块(3-2)的中心线与电枢铁心齿(1-2)的中心线对齐,混合永磁单元块(3-2)的外径等于内定子(3)的外径,混合永磁单元块(3-2)的内径等于电机轴径,非稀土铝镍钴永磁体(3-2b)靠近转子(2)一侧,稀土钕铁硼永磁体(3-2a)靠近电机轴一侧,相邻的混合永磁单元块(3-2)充磁方向相反,即NS-SN分布。
7.根据权利要求1所述的一种少稀土类多励磁源双定子磁通切换记忆电机,其特征在于:所述外定子(1)总齿数为X、电枢绕组(1-4)相数为m、导磁硅钢块(2-1)个数为q、混合永磁单元块(3-2)个数为K,上述参数满足关系:X=2mNc=2K和2q=X±2n,n为正整数,Nc为一相绕组的线圈个数。
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