[发明专利]植球处理在审
| 申请号： | 201710342430.5 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108695174A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 黄鸿杰 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护材料 挥发性 清洁材料 接垫 芯片封装结构 热处理 表面处 焊球 移除 植球 覆盖 种植 | ||
【权利要求书】：
1.一种植球处理，其特征在于，包括：
提供芯片封装结构，其中所述芯片封装结构的表面处具有多个接垫；
于每一所述接垫上形成保护材料；
将热挥发性清洁材料形成于所述表面上，使得所述热挥发性清洁材料覆盖所述保护材料并与所述保护材料产生反应；
进行热处理，以同时移除所述热挥发性清洁材料与所述保护材料；以及
将多个焊球各自形成于所述多个接垫中的对应者上。
2.根据权利要求1所述的植球处理，其特征在于，所述热挥发性清洁材料包括有机助焊剂，且所述保护材料包括有机保焊剂。
3.根据权利要求1所述的植球处理，其特征在于，将所述热挥发性清洁材料形成于所述表面上的方法包括使用喷洒装置将所述热挥发性保护材料喷洒于所述表面上。
4.根据权利要求1所述的植球处理，其特征在于，所述热处理包括回焊处理或烘烤处理。
5.根据权利要求1所述的植球处理，其特征在于，在将所述热挥发性清洁材料形成于所述表面上之后以及在进行所述热处理之前，还包括闲置所述芯片封装结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
