[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述第一面为功能面；

在所述衬底第一面上形成塑封层；

形成所述塑封层之后，对所述衬底第二面进行减薄处理；

所述衬底第一面上具有焊盘；形成所述塑封层之前，还包括：在所述焊盘上形成连接柱；

所述塑封层覆盖所述连接柱侧壁和顶部表面；

所述减薄处理之后，还包括：对所述塑封层进行打孔处理，在所述塑封层中形成焊孔，所述焊孔底部暴露出所述连接柱顶部表面；在所述焊孔中形成焊料层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述塑封层的材料为聚合物。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述塑封层的步骤包括：在所述衬底第一面上形成前驱体；对所述前驱体进行加热处理，使所述前驱体固化，形成所述塑封层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述塑封层的厚度为100μm～600μm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理的工艺包括：化学机械抛光工艺或TAIKO工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理之前，还包括：在所述塑封层上形成覆盖层；所述减薄处理之后，去除所述覆盖层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为玻璃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理之后，还包括：在所述塑封层上形成第一连接层和位于所述第一连接层上的第一散热板。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理之后，还包括：在所述衬底第二面上形成第二连接层和第二散热板，所述第二连接层位于所述衬底第二面和所述第二散热板之间。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理之后，还包括：在所述衬底第二面上形成第二连接层和第二散热板，所述第二连接层位于所述衬底第二面和所述第二散热板之间。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理之后，还包括：在所述衬底第二面上形成第二连接层和第二散热板，所述第二连接层位于所述衬底第二面和所述第二散热板之间，所述第一散热板和第二散热板的材料为陶瓷。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述连接柱的材料为铜或铝。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述连接柱的步骤包括：在所述衬底第一面上和所述焊盘表面形成种子层；在所述种子层上形成第一光刻胶，所述第一光刻胶暴露出所述焊盘表面的种子层；在所述第一光刻胶暴露出的种子层上形成连接柱。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述连接柱的材料为铜，所述焊料层的材料为锡。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述打孔处理的工艺包括激光打孔。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述打孔处理的工艺参数包括：激光波长为532nm。

17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述焊料层表面高于所述塑封层表面。