[发明专利]半导体结构的形成方法、半导体芯片、封装方法及结构

权利要求书

1.一种半导体芯片的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有连接层；所述基底布有多条切割道，切割道相交位置处构成拐角区域；

在所述基底上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有露出所述连接层的第一开口；

形成第二钝化层，所述第二钝化层填充所述第一开口且覆盖所述第一钝化层；

在所述第二钝化层中形成第二开口和第三开口；所述第二开口位于第一开口内且露出所述连接层，所述第三开口位于第一开口外；所述第三开口位于所述半导体芯片的拐角区域且暴露于所述半导体芯片表面；所述第三开口沿平行于衬底方向的截面呈六边形；

在所述第二开口中形成导电凸起。

2.如权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，所述第三开口的开口尺寸大于或等于20μm。

3.如权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，在所述切割道交叉的拐角区域形成一个或多个第三开口。

4.如权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，所述第三开口底部位于所述第一钝化层内部；或者，所述第三开口露出所述第一钝化层表面。

5.如权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，所述第二钝化层的材料是氧化硅、氧化铝、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、聚酰亚胺、聚硅氧烷或硅酮橡胶。

6.如权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，在所述第二钝化层中形成第二开口以及第三开口的步骤包括：

形成填充所述第一开口且覆盖所述第一钝化层的第二钝化层；

在所述第二钝化层上形成第一图形层；

以所述第一图形层为掩膜刻蚀所述第二钝化层，形成第二开口以及第三开口。

7.如权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，在所述第二开口中形成导电凸起的步骤包括：

在所述第二开口侧壁及底部形成金属膜，所述金属膜还覆盖所述第二钝化层且覆盖所述第三开口的侧壁及底部；

在所述金属膜上形成第二图形层，所述第二图形层在所述第二开口区域形成有第四开口，所述第四开口露出所述金属膜；

在所述第四开口内填充金属介质形成金属柱；

在所述金属柱上形成金属帽；

去除所述第二图形层及所述第二图形层下的所述金属膜，露出所述第二钝化层及所述第三开口；

位于所述第四开口内的所述金属膜为导电凸起下金属膜；

所述金属帽、所述金属柱及所述导电凸起下金属膜共同构成导电凸起。

8.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有连接层；所述基底布有多条切割道，切割道相交位置处构成拐角区域；

位于所述连接层上的导电凸起；

位于所述基底上及所述导电凸起之间的第一钝化层，所述第一钝化层具有露出所述导电凸起的第一开口；

位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第二钝化层中具有露出所述导电凸起且位于第一开口内的第二开口，所述第二钝化层还具有位于所述第一开口外的第三开口；所述第三开口位于所述半导体芯片的拐角区域且暴露于所述半导体芯片表面；所述第三开口用于提高所述第二钝化层的粗糙度；所述第三开口沿平行于衬底方向的截面呈六边形。

9.如权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述第三开口的开口尺寸大于或等于20μm。

10.如权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，在所述半导体芯片的拐角区域有一个或多个第三开口。

11.如权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述第二钝化层的材料是氧化硅、氧化铝、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、聚酰亚胺、聚硅氧烷或硅酮橡胶。