[发明专利]一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管有效
| 申请号： | 201710365514.0 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107346785B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李传皓;李忠辉;彭大青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/36 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 娄嘉宁<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 algan gan 电子 迁移率 场效应 | ||
1.一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管，其特征在于：沿外延生长方向自下而上分别为：单晶衬底；GaN缓冲层；GaN掺杂层；第一Alx1Ga1-x1N势垒层；第二Alx2Ga1-x2N势垒层；AlN插入层；AlyGa1-yN沟道层；SiNz钝化层；其中，下标X1表示势垒层中Alx1Ga1-x1N中Al的组分，下标X2表示势垒层中Alx2Ga1-x2N中Al的组分，下标y表示沟道层中AlyGa1-yN中Al的组分；
所述GaN掺杂层的厚度为5-20nm，掺杂种类均为N型杂质硅，掺杂剂量为5×1017cm-3--5×1018cm-3；
所述第一Alx1Ga1-x1N势垒层的厚度为10-35nm，掺杂种类为N型杂质硅，掺杂剂量为5×1017cm-3--5×1018cm-3，Al的组分X1沿外延生长方向自下而上逐渐增加或者准渐变增加，其中X1最小值0-0.10，最大值0.25-0.40；第二Alx2Ga1-x2N势垒层的厚度为8-20nm，非故意掺杂，Al的组分X2为常量，且X2与第一Alx1Ga1-x1N势垒层的Al的组分X1的最大值相等；
所述AlyGa1-yN沟道层的厚度为5-20nm，非故意掺杂，AlyGa1-yN中Al的组分y沿外延生长方向自下而上逐渐减小，其中y最小值0-0.05，最大值0.10-0.20。
2.根据权利要求1所述的N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管，其特征在于：所述单晶衬底为碳化硅、蓝宝石或者氮化镓。
3.根据权利要求1所述的N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管，其特征在于：GaN缓冲层的厚度为1-3μm。
4.根据权利要求1所述的N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管，其特征在于：所述AlN插入层的厚度为0.3-2.0nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710365514.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种钨粉混合机
- 下一篇：GGNMOS晶体管、多指GGNMOS器件及电路
- 同类专利
- 专利分类
