[发明专利]一种轨对轨比较器电路有效
申请号: | 201710394993.9 | 申请日: | 2017-05-30 |
公开(公告)号: | CN107094006B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 浙江程诚文化用品有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人: | 李桂芬 |
地址: | 322099 浙江省金华市义乌*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 比较 电路 | ||
1.一种轨对轨比较器电路,其特征在于,包括:第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第五PMOS晶体管P5、第六PMOS晶体管P6、第七PMOS晶体管P7、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5、第六NMOS晶体管N6和第七NMOS晶体管N7;第一PMOS晶体管P1的栅极接第一偏置电流输入端PBIAS,源极接电源,漏极接第六PMOS晶体管P6的源极和第七PMOS晶体管P7的源极;第六PMOS晶体管P6的栅极接所述比较器电路负输入端UIN,漏极接第三NMOS晶体管N3的栅极和漏极以及第六NMOS晶体管N6的栅极;第三NMOS晶体管N3的源极接地;第七PMOS晶体管P7的栅极接所述比较器电路正输入端UIP,漏极接第四NMOS晶体管N4的栅极和漏极、第七NMOS晶体管N7的栅极以及第二PMOS晶体管P2的漏极;第四NMOS晶体管N4的源极接地;第一NMOS晶体管N1的栅极接所述比较器电路负输入端UIN,源极接第二NMOS晶体管N2的源极和第五NMOS晶体管N5的漏极,漏极接第三PMOS晶体管P3的栅极和漏极;第二NMOS晶体管N2的栅极接所述比较器电路正输入端UIP,漏极接第四PMOS晶体管P4的栅极和漏极、第五PMOS晶体管P5的栅极以及第六NMOS晶体管N6的漏极;第五NMOS晶体管N5的栅极接第二偏置电流输入端NBIAS,源极接地;第二PMOS晶体管P2的源极接电源、栅极接第三PMOS晶体管P3的栅极;第三PMOS晶体管P3的源极接电源;第四PMOS晶体管P4的源极接电源;第五PMOS晶体管P5的源极接电源,漏极接所述比较器电路的输出端UOUT;第六NMOS晶体管N6的源极接地;第七NMOS晶体管N7的源极接地,漏极接所述比较器电路的输出UOUT。
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