[发明专利]一种光刻胶剥离液有效
申请号: | 201710404918.6 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN107037698B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 卢燕燕;张丽燕 | 申请(专利权)人: | 惠州达诚微电子材料有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 516265 广东省惠州市惠阳区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 剥离 | ||
本发明涉及一种光刻胶剥离液,其由有机胺、极性有机溶剂和添加剂组成,其中,各种成份的重量百分比为:有机胺1至10wt%;极性有机溶剂85至98.9wt%;添加剂0.1至5wt%。该光刻胶剥离液对于钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)布线以及其他金属布线的防腐蚀性优良、剥离效果好、使用寿命长。此外,其制备简单,操作方便。
技术领域
本发明属于光刻技术领域,涉及一种剥离液,具体涉及一种光刻胶剥离液。
背景技术
电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越广泛。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也直接影响着产品的质量。
目前的光刻胶剥离液一般以碱(有机碱、无机碱)、极性有机溶剂、缓蚀剂和/或水组成。常规的水系剥离液所用的碱包含无机碱,如NaOH,KOH的2~6%溶液,具有碱性强,剥离速度快等优点。但会严重侵蚀金属基材,使金属线条发生腐蚀断裂。其次,NaOH,KOH做剥离液使用时,虽然能使光刻胶从基板剥落,但却不能很好地溶解掉,剥离后的膜渣过大,难以过滤,在循环使用时就会堵塞管路。例如专利CN 105116696 A就公开了一种水系光刻胶剥离液,其组成是无机碱、有机碱、有机溶剂、缓蚀剂、碱金属盐、高分子聚合物、螯合剂和去离子水。室温下为均一溶液,在使用温度下溶液会分层,依靠循环泵将剥离下来的胶膜抽走,虽不会堵塞管路,但在高温、强碱条件下,对金属基材的侵蚀太严重。又例如专利CN104570628A公开了一种低刻蚀的光刻胶剥离液,包含季胺氢氧化物、醇胺、溶剂、带有颜料吸附基团的星型共聚物和特定结构的硅烷。其原料难得,经济性不强。
因此,本领域需要一种剥离效果好、不损伤基材、制备简单、使用方便的光刻胶剥离液。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,旨在提供一种光刻胶剥离液,其对于钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)布线以及其他金属布线的防腐蚀性优良、剥离效果好、使用寿命长;此外,其制备简单,操作方便。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种光刻胶剥离液,其特征在于,由有机胺、极性有机溶剂和添加剂组成,其中,各种成份的重量百分比为:
有机胺 1至10wt%;
极性有机溶剂 85至98.9wt%;
添加剂 0.1至5wt%。
进一步地,其中,所述有机胺包括醇胺。
更进一步地,其中,所述醇胺为选自一乙醇胺、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺中的至少一种。
此外,其中,所述极性有机溶剂为选自酰胺类和醇醚类中的至少一种。
进一步地,其中,所述酰胺类为选自N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。
更进一步地,其中,所述醇醚类为选自乙二醇单丁醚、乙二醇乙醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、二甘醇二甲醚、三乙二醇丁醚中的至少一种。
另一方面,其中,所述添加剂包括唑类化合物。
进一步地,其中,所述唑类化合物为选自苯并三氮唑、2-巯基苯并噻唑、甲基苯并三氮唑、氯化三苯基四唑、2,5-二巯基噻二唑、咪唑、吡唑、氨基四唑中的至少一种。
与现有的光刻胶剥离液相比,本发明的光刻胶剥离液具有如下有益技术效果:
1、其制备简单,剥离效果好。
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